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公开(公告)号：CN117133633A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310489410.6
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 提供了一种形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，在氧化硅层上形成第二光刻胶图案。
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