公开(公告)号：CN108206134A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711374869.2

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河淳穆 ,  金载熙 ,  黄灿 ,  金钟赫

IPC: H01L21/3213 ,  H01L49/02

Abstract: 一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。

公开(公告)号：CN110908237A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910857744.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河淳穆 ,  金载熙 ,  李庸旭 ,  金容佑

IPC: G03F1/38

Abstract: 提供了一种用于负显影的光掩模。所述光掩模包括：主区域；以及划道区域，围绕主区域并包括第一道和第二道。第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处。第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道。第一子道包括第一虚设图案，第二子道包括第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。

公开(公告)号：CN117133633A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310489410.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂荣 ,  郑宇陈 ,  河淳穆 ,  刘俊埴 ,  李丞敎

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了一种形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，在氧化硅层上形成第二光刻胶图案。

公开(公告)号：CN107017235B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201610890120.2

申请日：2016-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载熙 ,  河淳穆 ,  金钟赫 ,  朴俊洙

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括在基板的第一和第二芯片区域上分别形成包括选择元件的第一和第二下结构、在第一和第二下结构上分别形成第一和第二模层、在第一和第二模层上分别形成第一和第二支撑层、图案化第一支撑层和第一模层以形成暴露第一下结构的第一孔、在第一孔中形成第一下电极、通过选择性地图案化第一支撑层而保留第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案、以及通过开口去除第一模层。支撑图案的顶表面设置在与第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。

公开(公告)号：CN107017235A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610890120.2

申请日：2016-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载熙 ,  河淳穆 ,  金钟赫 ,  朴俊洙

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括在基板的第一和第二芯片区域上分别形成包括选择元件的第一和第二下结构、在第一和第二下结构上分别形成第一和第二模层、在第一和第二模层上分别形成第一和第二支撑层、图案化第一支撑层和第一模层以形成暴露第一下结构的第一孔、在第一孔中形成第一下电极、通过选择性地图案化第一支撑层而保留第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案、以及通过开口去除第一模层。支撑图案的顶表面设置在与第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。

公开(公告)号：CN110908237B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910857744.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河淳穆 ,  金载熙 ,  李庸旭 ,  金容佑

IPC: G03F1/38

Abstract: 提供了一种用于负显影的光掩模。所述光掩模包括：主区域；以及划道区域，围绕主区域并包括第一道和第二道。第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处。第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道。第一子道包括第一虚设图案，第二子道包括第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。

公开(公告)号：CN108206134B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201711374869.2

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河淳穆 ,  金载熙 ,  黄灿 ,  金钟赫

IPC: H01L21/3213 ,  H01L49/02

Abstract: 一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。