公开(公告)号：CN101075620B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200710103469.8

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田喜锡 ,  韩晶昱 ,  柳铉基 ,  李龙圭

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器集成电路器件及其制造方法。所述非易失存储器集成电路器件包括半导体衬底、字线和选择线、以及浮置结区、位线结区和公共源极区。半导体衬底具有多个基本矩形场区，且每个基本矩形场区的短边和长边分别平行于矩阵的行和列方向。字线和选择线在半导体衬底上平行于行方向延伸，字线穿过排列在行方向的多个基本矩形场区，且选择线与排列在矩阵的行方向的基本矩形场区部分重叠，从而基本矩形场区的长边的重叠部分和重叠的基本矩形场区的重叠的短边位于选择线下。浮置结区，形成于半导体衬底内在字线和选择线之间；位线结区，形成与浮置结区相对；和公共源极区，与浮置结区相对形成。

公开(公告)号：CN101075620A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710103469.8

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田喜锡 ,  韩晶昱 ,  柳铉基 ,  李龙圭

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器集成电路器件及其制造方法。所述非易失存储器集成电路器件包括半导体衬底、字线和选择线、以及浮置结区、位线结区和公共源极区。半导体衬底具有多个基本矩形场区，且每个基本矩形场区的短边和长边分别平行于矩阵的行和列方向。字线和选择线在半导体衬底上平行于行方向延伸，字线穿过排列在行方向的多个基本矩形场区，且选择线部分重叠排列在矩阵的行方向的基本矩形场区，从而基本矩形场区的长边的重叠部分和重叠的基本矩形场区的重叠的短边位于选择线下。浮置结区，形成于半导体衬底内在字线和选择线之间；位线结区，形成与浮置结区相对；和公共源极区，与浮置结区相对形成。

公开(公告)号：CN100350612C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02143798.X

申请日：2002-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛泽 ,  韩晶昱 ,  金成均 ,  柳铉基

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28185 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法。该存储单元能够在第一方向上写入并在第二方向上读取。该存储单元包括位于源极或者漏极、或者源极和漏极两者附近的一个或者两个电荷俘获区域。在编程操作中，电子可以通过热电子注入而注入到所述电荷俘获区域中。在擦除操作中，空穴可以被注入到所述电荷俘获区域中。本发明的实施例包括一个仅被控制栅重叠一定程度的电荷俘获区域，在该区域中，在编程操作中，注入的电子以后可以通过将空穴注入到该电荷俘获区域中而得以擦除。

公开(公告)号：CN1466221A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02143798.X

申请日：2002-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜盛泽 ,  韩晶昱 ,  金成均 ,  柳铉基

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28185 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法。该存储单元能够在第一方向上写入并在第二方向上读取。该存储单元包括位于源极或者漏极、或者源极和漏极两者附近的一个或者两个电荷俘获区域。在编程操作中，电子可以通过热电子注入而注入到所述电荷俘获区域中。在擦除操作中，空穴可以被注入到所述电荷俘获区域中。本发明的实施例包括一个仅被控制栅重叠一定程度的电荷俘获区域，在该区域中，在编程操作中，注入的电子以后可以通过将空穴注入到该电荷俘获区域中而得以擦除。