公开(公告)号：CN115933319A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210805477.1

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  姜旼澈 ,  李受龙

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 公开了一种形成光学邻近校正(OPC)模型的方法和/或一种使用该OPC模型制造半导体装置的方法。形成OPC模型的方法可包括：获得扫描电子显微镜(SEM)图像和图形数据系统(GDS)图像，SEM图像是使用一个或多个扫描电子显微镜拍摄的多个图像的平均图像，GDS图像是通过对设计的布局成像获得的；将SEM图像和GDS图像对齐；对SEM图像执行图像滤波处理；从SEM图像提取轮廓；以及对轮廓进行验证。可使用遗传算法来执行轮廓的验证。遗传算法中的变量可包括与图像对齐处理有关的第一参数、与图像滤波处理有关的第二参数和与临界尺寸(CD)测量处理有关的第三参数。

公开(公告)号：CN116705790A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310176787.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受龙 ,  梁宰圆 ,  罗暻朝 ,  金志红 ,  吕尚哲 ,  李赫

IPC: H01L27/02 ,  G06F30/392 ,  G06T7/00 ,  G06N20/00 ,  G06F115/10 ,  G06F115/02

Abstract: 公开了一种电子装置的操作方法，该电子装置包括执行基于机器学习的半导体布局仿真模块的处理器。该操作方法包括：在由处理器执行的半导体布局仿真模块处接收布局图像；基于布局图像和半导体集成电路的制造装置信息图像推断晶片图像，半导体集成电路由半导体制造装置基于最终布局图像制造；当晶片图像不可接受时调整布局图像；以及当晶片图像可接受时确认布局图像为最终布局图像。

公开(公告)号：CN109828433B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201811396840.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 ,  李受龙 ,  金昌焕

IPC: G03F1/42 ,  G03F1/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用形貌数据生成散焦图；以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。

公开(公告)号：CN113534599A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110423235.1

申请日：2021-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  文瑞琳 ,  朴庆宰 ,  李受龙 ,  郑刚珉

IPC: G03F1/36

Abstract: 本公开提供了光学邻近校正方法和制造掩模的方法。该光学邻近校正方法包括：从图案掩模提取第一图案；对第一图案的至少一部分执行光刻，以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；以及在其上形成有第一第一图案的图案掩模上执行校正。

公开(公告)号：CN116266357A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211222889.9

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫 ,  梁宰圆 ,  吕尚哲 ,  金银珠 ,  李受龙

IPC: G06T7/13 ,  G06T17/00 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08 ,  G06N20/10

Abstract: 提供了使用深度学习来预测轮廓的计算装置及其操作方法。所述操作方法包括：在全芯片中对独特图案进行采样；通过执行与所述独特图案对应的严格模拟来提取多个高度中的每个高度的抗蚀剂轮廓的等高线；准备与多个高度中的每个高度的等高线对应的输入图像和输出图像；使用输入图像和输出图像对所提取的等高线执行深度学习；以及根据深度学习的执行来生成轮廓预测模型。

公开(公告)号：CN109828433A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811396840.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文晟墉 ,  李受龙 ,  金昌焕

IPC: G03F1/42 ,  G03F1/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用形貌数据生成散焦图；以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。