公开(公告)号：CN110192383A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880007384.6

申请日：2018-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩 ,  尹寅镐 ,  姜斗锡 ,  朴正敏

IPC: H04M1/02

Abstract: 公开了一种可以穿戴在用户身体上的电子设备及其操作方法。用于充电和测量的电极包括在电子设备的前侧。电子设备包括电池、用于给电池充电的充电电路、生物传感器和处理器。处理器配置成确定电池是否在通过充电电路充电。如果电池没在充电，则处理器配置成通过生物传感器使用第一方法获取生物信息，并且如果电池正在充电，则处理器配置成通过生物传感器使用第二方法获取生物信息。

公开(公告)号：CN100472759C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510088547.2

申请日：2005-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  朴钟浩 ,  池京求 ,  金东贤

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性存储器器件包括半导体衬底、器件隔离膜、隧道绝缘膜、多个浮置栅、栅间绝缘膜、和控制栅图案。在其间限定有源区的衬底中形成沟槽。器件隔离膜在衬底内的沟槽中。隧道绝缘膜在衬底的有源区上。多个浮置栅每个都在衬底的有源区上方的隧道绝缘膜上。栅间绝缘膜横跨浮置栅和器件隔离膜延伸。控制栅图案在栅间绝缘膜上并横跨浮置栅延伸。沟槽中的器件隔离膜的中部具有凹陷在沟槽中的器件隔离膜的周围区域的上主表面下面的上主表面。器件隔离膜凹陷中部的边缘与浮置栅的相邻的一个的侧壁排成直线。

公开(公告)号：CN1068444A

公开(公告)日：1993-01-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有布线层的半导体器件，包括：半导体衬底31、51、71、91和111；具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112，所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117，并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀的物质。

公开(公告)号：CN1956171B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200610142432.1

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴钟浩 ,  金容锡

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种形成非易失性存储器件的方法包括限定了以下特征的步骤：提高相邻浮置栅电极之间电干扰的屏蔽并且改进泄漏电流和阈值电压特性。在与非易失性存储单元相连的串选择晶体管中，这些特征同样支持改进的泄漏电流和阈值电压特性。

公开(公告)号：CN1758429A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510088547.2

申请日：2005-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑丞弼 ,  朴钟浩 ,  池京求 ,  金东贤

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性存储器器件包括半导体衬底、器件隔离膜、隧道绝缘膜、多个浮置栅、栅间绝缘膜、和控制栅图案。在其间限定有源区的衬底中形成沟槽。器件隔离膜在衬底内的沟槽中。隧道绝缘膜在衬底的有源区上。多个浮置栅每个都在衬底的有源区上方的隧道绝缘膜上。栅间绝缘膜横跨浮置栅和器件隔离膜延伸。控制栅图案在栅间绝缘膜上并横跨浮置栅延伸。沟槽中的器件隔离膜的中部具有凹陷在沟槽中的器件隔离膜的周围区域的上主表面下面的上主表面。器件隔离膜凹陷中部的边缘与浮置栅的相邻的一个的侧壁排成直线。

公开(公告)号：CN1722427A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078841.5

申请日：2005-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇泽 ,  朴钟浩 ,  许星会 ,  金贤锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485

Abstract: 一种用于半导体器件的互连结构，包括布置在半导体衬底上的层间绝缘层。贯穿所述层间绝缘层的第一接触结构。贯穿所述层间绝缘层的第二接触结构。使第一接触结构连接到所述层间绝缘层上的第二接触结构的金属互连。所述第一接触结构包括依次层叠的第一和第二栓塞，以及所述第二接触结构包括第二栓塞。

公开(公告)号：CN110192383B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201880007384.6

申请日：2018-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩 ,  尹寅镐 ,  姜斗锡 ,  朴正敏

IPC: H04M1/02

Abstract: 公开了一种可以穿戴在用户身体上的电子设备及其操作方法。用于充电和测量的电极包括在电子设备的前侧。电子设备包括电池、用于给电池充电的充电电路、生物传感器和处理器。处理器配置成确定电池是否在通过充电电路充电。如果电池没在充电，则处理器配置成通过生物传感器使用第一方法获取生物信息，并且如果电池正在充电，则处理器配置成通过生物传感器使用第二方法获取生物信息。

公开(公告)号：CN1956171A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610142432.1

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟源 ,  朴钟浩 ,  金容锡

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种形成非易失性存储器件的方法包括限定了以下特征的步骤：提高相邻浮置栅电极之间电干扰的屏蔽并且改进泄漏电流和阈值电压特性。在与非易失性存储单元相连的串选择晶体管中，这些特征同样支持改进的泄漏电流和阈值电压特性。

公开(公告)号：CN1083130C

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：CN95115920.8

申请日：1995-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟浩

IPC: G11B7/00

Abstract: 一种在数据记录和/或重放设备中的光盘上记录数据的方法，该设备有一存贮输入数据和预设定数据的缓冲器RAM，光盘有记录输入数据的数据记录区和记录与输入数据相关的信息的信息记录区，该方法包括：在把新输入数据存入RAM之前将RAM的设定数据录入数据记录区；将数据记录区的一特殊设定数据与欲存入RAM中的设定数据比较；若相同，则把输入数据暂存入RAM，并把RAM的输入数据记入数据记录区。

公开(公告)号：CN111315280A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071081.0

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹寅镐 ,  李镕溱 ,  申铉石 ,  朴钟浩 ,  李承恩

IPC: A61B5/00 ,  G01N21/17 ,  G01N21/01

Abstract: 一种电子装置包括：发光单元，该发光单元包括第一发光元件和第二发光元件；以及多个光接收单元，该多个光接收单元设置成包围发光单元的结构，其中，基于与该发光单元相关的辐射区域在分离状态下，以指定的距离范围设置第一发光元件和第二发光元件。各种实施例是可用的。