公开(公告)号：CN117637742A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311080723.2

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载泓 ,  尹承灿 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种场效应晶体管结构，包括：衬底，其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区；第一沟道结构，其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区；以及第二沟道结构，在第一沟道结构的一侧，其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区，其中第四掺杂区、第二掺杂区、第一掺杂区、第三掺杂区和第五掺杂区形成顺序连接的无源器件。

公开(公告)号：CN103378161A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310149427.3

申请日：2013-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 金洞院 ,  金大万 ,  丁润夏 ,  朴修永 ,  朴赞训 ,  白禄贤 ,  李尚贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/78 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。

公开(公告)号：CN118866902A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410496616.6

申请日：2024-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  尹承灿 ,  朴修永 ,  李载泓 ,  徐康一

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。集成电路装置可以包括衬底上的晶体管。晶体管可以包括：彼此间隔开的一对薄半导体层；在所述一对薄半导体层之间的沟道区；在所述一对薄半导体层和所述沟道区上的栅电极；以及栅极绝缘体，将所述栅电极与所述一对薄半导体层和所述沟道区两者分离。沟道区的侧表面可以相对于所述一对薄半导体层的侧表面凹陷，并且可以在所述一对薄半导体层之间限定凹槽。栅极绝缘体的一部分和/或栅电极的一部分可以在凹槽中。

公开(公告)号：CN116137288A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211450497.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐康一 ,  朴修永 ,  洪炳鹤

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；至少一个混合沟道结构，形成在衬底上并包括至少一个第一沟道结构和第二沟道结构，至少一个第一沟道结构在第一方向和第二方向上平行于衬底的上表面延伸而不直接接触衬底，第二沟道结构在垂直于第一方向或第二方向的第三方向上连接到至少一个第一沟道结构并与至少一个第一沟道结构相交；围绕混合沟道结构的栅极结构；以及源极/漏极区，分别形成在至少一个混合沟道结构的沿第一方向的相反两端。

公开(公告)号：CN116666385A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310179389.X

申请日：2023-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在第一层中的至少一个场效应晶体管和在所述至少一个场效应晶体管的横向侧的至少一个PN结器件；以及在第一层下面的第二层中的至少一个背侧供电网络(BSPDN)结构，其中所述至少一个BSPDN结构配置为将所述至少一个场效应晶体管连接到电压源。

公开(公告)号：CN117913092A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311346753.3

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  白在职 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括基板和在基板上的晶体管堆叠，该晶体管堆叠包括第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以在基板和第二晶体管之间，第一晶体管可以包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区、在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的第一沟道区以及在第一沟道区的上表面和下表面上的第一栅极结构。相对于基板，第一源极/漏极区的下表面可以高于第一栅极结构的下表面。

公开(公告)号：CN116895655A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310377089.2

申请日：2023-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权旭炫 ,  洪炳鹤 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H03K3/356

Abstract: 本发明提供一种多堆叠半导体器件，该多堆叠半导体器件包括：衬底；下部场效应晶体管，包括下部沟道结构、围绕下部沟道结构的下部栅极结构、以及第一和第二源极/漏极区；以及在下部场效应晶体管上的上部场效应晶体管，包括上部沟道结构、围绕上部沟道结构的上部栅极结构、以及分别垂直位于第一和第二源极/漏极区上方的第三和第四源极/漏极区，其中第一源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的一个，第三源极/漏极区连接到正电压源和负电压源中的另一个，以及其中第二源极/漏极区的顶部和第四源极/漏极区的底部彼此连接。

公开(公告)号：CN116960128A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310429553.8

申请日：2023-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  朴修永 ,  徐康一 ,  李载泓

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件，包括：衬底；下堆叠纳米片晶体管，包括被下栅极结构围绕的两个或更多个下沟道层，下沟道层连接下源极/漏极区；以及上堆叠纳米片晶体管，形成在下堆叠纳米片晶体管上方并且包括被上栅极结构围绕的两个或更多个上沟道层，上沟道层连接上源极/漏极区，其中下堆叠纳米片晶体管和上堆叠纳米片晶体管具有以下至少之一：下沟道层中的一个的厚度与上沟道层中的一个的厚度之间的差异；以及两个相邻的下沟道层之间的下栅极结构的厚度与两个相邻的上沟道层之间的上栅极结构的厚度之间的差异。