公开(公告)号：CN110246834B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201910034794.6

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李寅衡 ,  张成珉 ,  郑淳元

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L23/495

Abstract: 提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括引线框架结构，该引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件通过共晶键合以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。

公开(公告)号：CN104253205B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410302091.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹永正 ,  李演优 ,  张成珉

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法，该发光器件包括：散热结构，其包括金属、陶瓷、半导体和树脂中的一种或多种材料；柔性绝缘层，其与散热结构直接接触；导电层，其层叠在柔性绝缘层上；以及发光单元，其安装在导电层上，其中，发光单元包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；以及第一电极和第二电极，它们分别连接至第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，并且第一电极包括通过第二导电类型半导体层和有源层连接至第一导电类型半导体层的多个导电过孔。

公开(公告)号：CN104253205A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410302091.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹永正 ,  李演优 ,  张成珉

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10106 ,  H01L33/644 ,  H01L33/64 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种发光器件及其制造方法，该发光器件包括：散热结构，其包括金属、陶瓷、半导体和树脂中的一种或多种材料；柔性绝缘层，其与散热结构直接接触；导电层，其层叠在柔性绝缘层上；以及发光单元，其安装在导电层上，其中，发光单元包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；以及第一电极和第二电极，它们分别连接至第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，并且第一电极包括通过第二导电类型半导体层和有源层连接至第一导电类型半导体层的多个导电过孔。

公开(公告)号：CN110246834A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910034794.6

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李寅衡 ,  张成珉 ,  郑淳元

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L23/495

Abstract: 提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括引线框架结构，该引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件通过共晶键合以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。