半导体发光器件封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110246834B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN201910034794.6

    申请日:2019-01-15

    Abstract: 提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括引线框架结构,该引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件通过共晶键合以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。

    半导体发光器件封装件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110246834A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910034794.6

    申请日:2019-01-15

    Abstract: 提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括引线框架结构,该引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件通过共晶键合以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。

    发光装置、背光单元和显示设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112038331A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010264584.9

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 提供了一种发光装置、背光单元和显示设备。所述发光装置包括:第一LED芯片,其发射峰波长在410至430nm的范围内的光;第二LED芯片,其发射峰波长在440至460nm的范围内的光;第一量子点,其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在510至550nm的范围内的光;以及第二量子点,其将通过第一LED芯片和第二LED芯片发射的光转换为峰波长在610至660nm的范围内的光,其中在最终的光的发射光谱中,第一LED芯片的峰波长的强度为第二LED芯片的峰波长的强度的15%或更少。

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