公开(公告)号：CN104979313A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510075819.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹太焕 ,  朴镇泽

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有导电衬垫的半导体器件和三维半导体器件。其中一种半导体器件包括具有单元区和连接区的衬底。多个栅电极在垂直方向上堆叠在衬底的单元区中。电连接到外围电路的导电衬垫从栅电极水平地延伸到连接区。导电衬垫在连接区中形成阶式结构。具有不同的垂直长度的接触插塞电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫。导电衬垫具有在垂直方向上比栅电极厚的接触部分。

公开(公告)号：CN104979313B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510075819.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹太焕 ,  朴镇泽

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/78 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有导电衬垫的半导体器件和三维半导体器件。其中种半导体器件包括具有单元区和连接区的衬底。多个栅电极在垂直方向上堆叠在衬底的单元区中。电连接到外围电路的导电衬垫从栅电极水平地延伸到连接区。导电衬垫在连接区中形成阶式结构。具有不同的垂直长度的接触插塞电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫。导电衬垫具有在垂直方向上比栅电极厚的接触部分。

公开(公告)号：CN108962911B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810775945.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹太焕 ,  朴镇泽

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 本发明提供半导体器件。一种半导体器件包括：栅电极，沿垂直方向堆叠在衬底上；垂直沟道结构，穿透栅电极以电连接到衬底；导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及接触插塞，电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫；其中导电衬垫中的每个包括延伸区和在接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，其中栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一垂直高度，且第二栅电极位于与第一垂直高度不同的第二垂直高度，自第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及自第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。

公开(公告)号：CN108962911A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810775945.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹太焕 ,  朴镇泽

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件。一种半导体器件包括：栅电极，沿垂直方向堆叠在衬底上；垂直沟道结构，穿透栅电极以电连接到衬底；导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及接触插塞，电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫；其中导电衬垫中的每个包括延伸区和在接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，其中栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一垂直高度，且第二栅电极位于与第一垂直高度不同的第二垂直高度，自第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及自第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。