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公开(公告)号：CN109695055A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910182656.2
申请日：2019-03-11
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉及结晶系统，涉及炉体结构领域。该长晶炉包括：炉体、第一坩埚、点热源、底部隔热结构和加热器；第一坩埚设置在炉体内；加热器设置在第一坩埚外侧；点热源设置在第一坩埚底部中心处；底部隔热结构套设于点热源外。点热源对第一坩埚中心处实现集中加热，从而保证单晶硅棒中心与熔融多晶硅的温差与单晶硅棒表面熔融多晶硅的温差一致，使得单晶硅棒中心与表面的结晶速度一致，保证了单晶硅棒的品质。
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公开(公告)号：CN108098570A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711343704.9
申请日：2017-12-15
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种抛光组件及其抛光工艺方法，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括抛光件，抛光件的外侧面向外包覆有保护层。还涉及一种抛光工艺方法，包括上述的抛光组件。该抛光组件及其抛光工艺方法不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
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公开(公告)号：CN108098567A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711343702.X
申请日：2017-12-14
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
摘要： 本发明提供抛光用压力缓冲垫、抛光装置及抛光工艺，涉及抛光技术领域。涉及抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，压力缓冲垫一面设置有胶层，压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；压力缓冲垫通过胶层与抛光盘固定。涉及抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，该压力缓冲垫可以与抛光盘粘贴，也可以与抛光磨头粘贴；压力缓冲垫设置在抛光盘与抛光磨头之间即可，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。还涉及抛光工艺，采用上述的抛光装置。采用本发明的技术方案，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
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公开(公告)号：CN105666312B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610039730.1
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
摘要： 本发明涉及一种抛光装置及方法，尤其是一种晶片快速抛光装置及方法，属于半导体抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片快速抛光装置，包括呈对称分布的抛光大盘，在所述抛光大盘间设置至少一个用于固定晶片的游星轮，所述抛光大盘与游星轮间具有抛光垫；在抛光大盘间的至少一个游星轮内设置用于与抛光垫接触并在对晶片抛光时生热的生热膜片。本发明结构紧凑，与现有工艺相兼容，使用操作方便，能精确控制抛光温度，提高抛光的速度，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106992112A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610040761.9
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02013 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
摘要： 本发明公开了一种适用于超薄晶片的抛光方法，所述的抛光方法利用胶带和/或胶体对超薄晶片进行贴膜，然后再用模板法进行抛光。所述胶带包含两层：胶膜和提供机械力的表层膜，表层膜通过胶膜跟晶片结合在一起。所述胶体用旋转涂布法涂布，或者用贴膜法涂布，或者用喷胶法涂布；涂布后的胶体直接进行固化，或者先通过烘烤表面流平后固化。其优点在于：1）新增的膜可以作为晶片的一部分嵌入到真空吸附垫模板里面，使晶片在模板中不易滑出，且可以通过调节膜的厚度来对晶片的抛光后的厚度进行控制；2）新增的膜有较高的机械强度，可以给晶片提供机械支撑作用，使晶片在抛光过程中不易碎片。
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公开(公告)号：CN105666312A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610039730.1
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
摘要： 本发明涉及一种抛光装置及方法，尤其是一种晶片快速抛光装置及方法，属于半导体抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片快速抛光装置，包括呈对称分布的抛光大盘，在所述抛光大盘间设置至少一个用于固定晶片的游星轮，所述抛光大盘与游星轮间具有抛光垫；在抛光大盘间的至少一个游星轮内设置用于与抛光垫接触并在对晶片抛光时生热的生热膜片。本发明结构紧凑，与现有工艺相兼容，使用操作方便，能精确控制抛光温度，提高抛光的速度，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105500186A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610040622.6
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
摘要： 本发明涉及一种抛光垫及吸附方法，尤其是一种晶片抛光用抛光垫及抛光垫的自吸附方法，属于化学机械抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片抛光用抛光垫，包括抛光垫体；其特征是：所述抛光垫体上设置具有吸附能力的吸附体，抛光垫体能通过吸附体与抛光大盘固定连接。本发明结构紧凑，实现抛光垫体与抛光大盘的有效连接固定，更换方便，有效减少对抛光大盘的损伤概率，提高抛光效率，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105619240A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610040623.0
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
IPC分类号： B24B37/30
CPC分类号： B24B37/30
摘要： 本发明涉及一种晶片固定装置及固定方法，尤其是一种晶片真空吸附模板及方法，属于晶片抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片真空吸附模板，包括外圈具有保护边沿的模板壳体以及位于所述模板壳体内的吸附衬垫；还包括用于固定晶片且与模板壳体适配的晶片固定体，所述晶片固定体能与吸附衬垫真空吸附连接，且晶片固定体与吸附衬垫真空吸附连接后，与所述晶片固定体连接的晶片位于保护边沿的保护范围内。本发明结构紧凑，与现有工艺相兼容，能实现多种晶片的固定，缩短加工周期，降低加工成本，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105538128A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610040624.5
申请日：2016-01-21
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
发明人： 夏秋良
IPC分类号： B24B37/015 , B24B57/02 , F24H1/10 , F24H9/18 , F24H9/20
CPC分类号： B24B37/015 , B24B57/02 , F24H1/10 , F24H1/101 , F24H9/1809 , F24H9/1818 , F24H9/2007 , F24H9/2028
摘要： 本发明涉及一种加热装置及方法，尤其是一种抛光液加热装置及抛光温度控制方法，属于晶片抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述抛光液加热装置，包括抛光液输送管；在所述抛光液输送管的末端设置用于对抛光液输送管内的抛光液进行加热的抛光液加热器，在抛光液输送管的管道出口处设置用于检测抛光液温度的抛光液温度检测器，所述抛光液温度检测器以及抛光液加热器均与加热控制器连接，所述加热控制器还与用于检测抛光环境温度的抛光环境温度检测器；本发明结构紧凑，能有效实现对晶片抛光过程的温度控制，提高晶片抛光的质量及速度，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN110004492B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910336795.6
申请日：2019-04-25
申请人： 苏州新美光纳米科技有限公司
摘要： 本发明提供一种长晶炉内监测方法及长晶炉，该方法包括：接收影像设备在各窗口第一图像数据、第二图像数据和第三图像数据；第一图像数据为单晶硅棒的图像数据；第二图像数据为熔融多晶硅的图像数据；第三图像数据为坩埚的图像数据；接收尺寸测量设备在各窗口采集的尺寸数据；尺寸数据包括：单晶硅棒的直径数据；接收位移采集设备采集的拉晶线的位移数据；接收环境监测设备在各窗口采集的环境信息；根据第一图像数据、单晶硅棒的直径数据和位移数据生成单晶硅棒的三维图像；按照三维图像上的各坐标点与环境信息的映射关系，存放各坐标点对应的环境信息。可通过三维立体可视图像观测长晶炉内各个方位的情况，实现全面监测。
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