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公开(公告)号：CN113035697B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110596527.5
申请日：2021-05-31
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/66 , H01L21/335 , H01J37/32 , C30B23/06
摘要： 本发明提供一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设加热功率比下进行分子束外延生长，以获得高电子迁移率器件外延片；测量跨整个外延片的光致发光半峰全宽二维图谱；识别二维图谱中的分界线，并计算分界距离；根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，确定下一次进行外延生长时所采用的加热功率比。通过获取测试样品的光致发光半峰全宽二维图谱，进而获得对应的分界距离，然后根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，计算获得经优化的加热功率比，实现了加热功率比的快速优化调整，避免了重复多次试验所带来的衬底及设备机时的消耗，提高了生产效率，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN113035697A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110596527.5
申请日：2021-05-31
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/66 , H01L21/335 , H01J37/32 , C30B23/06
摘要： 本发明提供一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设加热功率比下进行分子束外延生长，以获得高电子迁移率器件外延片；测量跨整个外延片的光致发光半峰全宽二维图谱；识别二维图谱中的分界线，并计算分界距离；根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，确定下一次进行外延生长时所采用的加热功率比。通过获取测试样品的光致发光半峰全宽二维图谱，进而获得对应的分界距离，然后根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，计算获得经优化的加热功率比，实现了加热功率比的快速优化调整，避免了重复多次试验所带来的衬底及设备机时的消耗，提高了生产效率，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103794526A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410032498.X
申请日：2014-01-23
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明属于半导体测试领域，涉及一种新型的半导体外延片霍尔效应测试方法；被测试样品结构包括金属点电极、表面帽层、沟道层、衬底，本发明用来测试HEMT器件的霍尔参数，无须单独制备无帽层结构的校准外延片，测量准确度高，可以真实反映实际外延片的霍尔特性，节省时间成本和生产成本，提高了企业的竞争力。
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公开(公告)号：CN103760484A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410033054.8
申请日：2014-01-23
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种新型背栅效应的测试方法，该方法在电路开关开和关两种状态下，分别测试样品的霍尔电阻，通过计算比对，反映待测样品的背栅特性。本发明无需将待测样品制备成传统测试背栅效应的待测器件，省去了大量工艺步骤；本发明用来测试GaAs基HEMT器件的背栅效应，无须制备成标准器件，操作简单，可以在线及时反映外延片的背栅特性，从而防止大批背栅特性不满足要求的外延片的生产，从而节省时间成本和生产成本，提高了企业的竞争力。
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公开(公告)号：CN113252195A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110518840.7
申请日：2021-05-12
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： G01K7/02
摘要： 本发明提供一种分子束外延设备中衬底温度的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：建立用于表示热电偶的实测温度与衬底的实际温度之间关系的线性温度模型；计算确定常数a；获取衬底氧化层脱附时的热电偶温度T；计算确定常数b；计算确定在热电偶的任一实测温度下对应的衬底的实际温度。通过在分子束外延设备中设置两个热电偶，同时利用两个热电偶的实测温度及衬底的实际脱附温度对模型进行求解，然后基于模型和热电偶的实测温度来计算衬底的实际温度。本方法仅需要提供衬底的氧化层脱附温度即可建立热电偶实测温度与衬底实际温度之间的关系模型，避免在模型中引入与测试条件相关的其他因素，能够实现衬底的实际温度的高精度测量。
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公开(公告)号：CN113097349A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110641641.5
申请日：2021-06-09
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/107 , C23C16/30 , C23C16/52
摘要： 本发明提供一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在InP衬底上依次沉积生长N+‑InP层、N+‑InAlAs层、InAlAs倍增层和P‑InAlAs电荷层；在电荷层上沉积生长InAlGaAs渐变层，在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束；在渐变层上沉积生长InGaAs吸收层。通过在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束，能够实现性能满足需要的渐变层，避免了繁琐复杂的四元系材料校准程序，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111474456B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010288145.1
申请日：2020-04-14
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统，涉及半导体测试技术领域。该霍尔效应电压确定方法包括：采用范德堡法，在施加失调补偿电压的同时，在测试磁场值和测试激励电流值下获取材料样品的电压数据；根据电压数据，计算获得初始霍尔电压；根据电压数据，计算获得霍尔电压校正值；根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值，确定材料样品的霍尔效应电压。通过获取材料样品的电压数据，并且根据电压数据计算出表示材料样品的失调电压对霍尔效应电压的影响的霍尔电压校正值，再根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值确定材料样品的霍尔效应电压，从而可以大幅降低霍尔测试中失调电压对霍尔效应电压结果的影响，提高所获得的霍尔效应电压的准确度。
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公开(公告)号：CN111540420A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010385227.8
申请日：2020-05-09
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种外延材料结构的结构参数确定方法及计算机程序产品，涉及半导体测试技术领域。该方法包括：提供外延材料结构的计划结构参数；提供外延材料结构的XRD测试数据；根据预设拟合算法，对根据计划结构参数计算获得的外延材料结构的计划XRD计算数据与XRD测试数据进行拟合，从而获得经修正的计划结构参数；将经修正的计划结构参数作为外延材料结构的实际生长结构参数。在采用预设拟合算法对计划结构参数进行修正操作时，通过进行添加新的膜层、减少已有的膜层、修正组分和厚度的修正操作，使得可以对计划结构参数进行全方位的修正，而不局限于仅仅对组分和厚度的修正，从而可以获得实际生长结构的更加准确的结构参数。
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公开(公告)号：CN111534855A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010385228.2
申请日：2020-05-09
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种多元化合物组分渐变层的分子束外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：获取元素B在预设炉温下的束流速率；获取元素A的束流速率随炉温变化的函数关系；根据预设规则将组分渐变层的厚度范围划分为n个子区域；针对每一子区域，计算确定元素A的源炉生长工艺参数；在元素B的炉温恒定为预设炉温并且元素A的源炉设定为所确定的生长工艺参数下，生长组分渐变层。根据预期组分变化函数关系对待生长的渐变层进行子区域划分，并针对每个子区域进行温度设定，从而在整个厚度范围内实现生长的组分变化关系与预期变化关系高度匹配。该方法操作方便，且所生长的组分渐变层的组分变化关系能够根据预期变化关系进行控制。
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公开(公告)号：CN111243953A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010041884.0
申请日：2020-01-15
申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , C23C14/22 , C23C14/06
摘要： 本发明提供一种利用分子束外延制备半导体器件的方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该方法包括：a)在砷化镓衬底上在第一温度下生长第一砷化镓缓冲层，其中，砷源分子束与镓源分子束的束流比大于或等于2.5:1；b)在第一砷化镓缓冲层上在第二温度下生长第二砷化镓缓冲层；c)在第二砷化镓缓冲层上生长器件功能层，其中第一温度比第二温度低预设温差值，且第一缓冲层的厚度小于或等于50nm。通过将砷源与镓源分子束的束流比设定为大于或等于2.5:1，只需在比第二缓冲层的生长温度低预设温差值的低温下生长小于或等于50nm的低温砷化镓缓冲层即可实现抑制背栅效应的效果，与现有技术相比，大幅降低了抑制背栅效应所需的缓冲层的厚度。
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