安装挠曲接触件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103328372B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201180061504.9

    申请日:2011-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种装置,其可包括由第一半导体材料形成的挠曲。第一沟槽可形成在所述挠曲中。所述第一沟槽可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中。所述氧化物层可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

    安装挠曲接触件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103328372A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201180061504.9

    申请日:2011-11-04

    Abstract: 本发明涉及一种装置,其可包括由第一半导体材料形成的挠曲。第一沟槽可形成在所述挠曲中。所述第一沟槽可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中。所述氧化物层可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

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