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公开(公告)号：CN1150354C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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公开(公告)号：CN1138877C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN97101233.4
申请日：1997-02-05
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔石英材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/12 , Y10T117/10
Abstract: 单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并且包括内层A、外层C和位于内层和外层之间的中间层B，并且，中间层B由具有比构成内坩埚30的内层A和外层C的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。
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公开(公告)号：CN1106460C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN97110533.2
申请日：1997-04-09
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/18 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明的目的是防止用来向坩埚103用的加热器104提供电流的导电金属电极5，5熔化下坠。开关11控制电源的通断。安培表10a连续地测量流过加热器104的电流。在中间电极6下部出现裂缝8的情况下，在电极5，5熔化下坠之前，由于裂缝8处出现放电现象，电流测量值会出现细小的波动。因此，如果安培表10a测量的电流波动超出允许范围，则控制器12切断开关11，从而切断电极5，5的电源，并防止电极5，5熔化下坠。
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公开(公告)号：CN1320724A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01108316.6
申请日：2001-02-27
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
Abstract: 将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构;将各元件的物理性质数值输入到计算机中;根据加热器的发热量和各元件的发射率获得各元件的表面温度分布;根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布,从而获得考虑了对流的熔液内部温度分布;根据包括单晶三相点的等温线获得单晶与熔液之间的固液界面的形状;重复第三到第五步骤直到三相点成为单晶的熔点。单晶与熔液之间的固液界面形状的计算结果与实际测量结果彼此吻合得非常好。
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公开(公告)号：CN1312585A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件,高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且,提供一种可以抑制水分浓度的增加,防止重金属污染,同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室1内或该反应室的气体排放系统内的水分浓度,根据该水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且,在用连接于衬底运送系统2、3内密闭空间的第1水分计6测量上述密闭空间的水分浓度后,用上述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序,及在该衬底运送工序后,用连接于反应室1的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1289860A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1047413C
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN96102527.1
申请日：1996-02-26
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/20
CPC classification number: B24B37/013 , C30B15/22 , C30B29/06 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧等直径部的特性与顶部侧等直径部及中部侧等直径部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在等直径部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏差。这种效果是通过控制底部22的直径D2使得等直径部侧底部2a的外表面相对于等直径部1的外表面连续具有10-25度的倾斜角θ而获得。
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公开(公告)号：CN1168931A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97110533.2
申请日：1997-04-09
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/18 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1088
Abstract: 本发明的目的是防止用来向坩埚103用的加热器104提供电流的导电金属电极5，5熔化下坠。开关11控制电源的通断。安培表10a连续地测量流过加热器104的电流。在中间电极6下部出现裂缝8的情况下，在电极5，5烷化下坠之前，由于裂缝8处出现放电现象，电流测量值会出现细小的波动。因此，如果安培表10a测量的电流波动超出允许范围，则控制器12切断开关11，从而切断电极5，5的电源，并防止电极5，5熔化下坠。
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公开(公告)号：CN1163949A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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公开(公告)号：CN1162028A
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN97101018.8
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/305 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉制硅或砷化镓等半导体单晶的拉单晶装置，包括：气密容器，容器内的坩埚，加热器，和一对在半导体熔化物中施加会交磁场的线圈。一圆筒形隔离体把坩埚分为供应并熔化源材料的外区域和拉单晶的内区域。内外区域在隔离体底部连通。反向电流加于一对线圈，在熔化物内产生会交磁场，该磁场包含相对于坩埚的、定位在连通通道位置的垂直部分，和定位在熔化物表面下的水平部分，可减小熔化物的流速并抑制其对流。获得高质量的半导体单晶。
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