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公开(公告)号：CN1312585A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件,高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且,提供一种可以抑制水分浓度的增加,防止重金属污染,同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室1内或该反应室的气体排放系统内的水分浓度,根据该水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且,在用连接于衬底运送系统2、3内密闭空间的第1水分计6测量上述密闭空间的水分浓度后,用上述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序,及在该衬底运送工序后,用连接于反应室1的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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公开(公告)号：CN1289860A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理,同时能可靠地知道净化处理的结束,缩短净化处理所需要的时间,进行CVD装置的恢复,在保养后的加热流通净化处理时,把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中,多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外,为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期,按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1183578C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01116233.3
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/00
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/67242 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 提供一种可以正确调整工艺时的条件，高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且，提供一种可以抑制水分浓度的增加，防止重金属污染，同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室(1)内或所述反应室的气体排放系统内的水分浓度，根据所述水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且，在用连接于衬底运送系统(2、3)内密闭空间的第1水分计(6)测量所述密闭空间的水分浓度后，用所述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序，及在所述衬底运送工序后，用连接于反应室(1)的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。
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公开(公告)号：CN1131891C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN00131310.X
申请日：2000-08-31
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 日本酸素株式会社
IPC: C23C16/00 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/52
Abstract: 为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形成前的净化处理中，多次重复进行抽真空和惰性气体的导入。此外，为了判断在反应室内进行腐蚀性气体处理的半导体制造装置的适当保养时期，按照重复进行腐蚀性气体处理时的水分浓度的变化来决定所述腐蚀性气体的保养时期。
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公开(公告)号：CN1398661A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN01123256.0
申请日：2001-07-23
Abstract: 一种化学气相沉积(CVD)排气的处理回收方法及装置，是将化学气相沉积排气中所含有的原料气体或中间产物转化反应成高挥发性的卤化物，以防止排气系统管路的附着、堆积、可将具有再利用价值的资源进行分离回收、以及减少保养维护。将化学气相沉积排气中所含有的原料气体与中间产物进行分解处理或转化反应处理，待一部分分解后，即进行氢卤化硅气体与氯化氢的分离回收。又，原料气体及中间产物也可完全分解成氯化氢再进行回收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258352A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99800275.5
申请日：1999-03-05
Applicant: 日本酸素株式会社
IPC: G01N21/39
CPC classification number: G01J3/4338
Abstract: 在通过使频率被调制的半导体激光透过减压状态的被测定气体来得到光吸收强度的2次微分谱来分析被测定气体中的微量杂质的气体的光谱分析装置中,设置根据半导体激光器(11)的特性控制激光的调制振幅用的调制振幅运算装置(1)、对由测定得到的2次微分谱中的峰的左右的极小值的波长间隔和峰的吸收强度进行运算的谱运算装置(2)和控制测定用气体单元(14)内的压力以使由谱运算装置(2)得到的吸收强度的值为最大用的压力调整装置(3)。设定激光的调制振幅的最佳值,使得2次微分谱中的峰的左右的极小值的波长宽度为0.0116nm。将调制振幅设定为最佳值,使测定压力最佳化。
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公开(公告)号：CN1222974A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98800447.X
申请日：1998-04-08
Applicant: 日本酸素株式会社
CPC classification number: G01N21/39 , G01N21/3504
Abstract: 一种分析气体中杂质的方法,包括以下步骤:将含有杂质的气体引入第一气室(2);将无杂质的气体引入第二气室(3);保持第一和第二气室中的气压相等;从光辐照装置(1)射出光束;利用分光装置(4)将光束分开,使第一光束透过第一气室,第二光束透过第二气室;利用第一测量装置(5)测量透过第一气室的光线强度,利用第二测量装置(6)测量透过第二气室的光线强度;根据第一测量装置和第二测量装置的测量数据之间的差异确定气体中杂质的吸收谱。
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公开(公告)号：CN100475315C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02824130.4
申请日：2002-12-04
CPC classification number: C01B23/0052 , B01D53/46 , B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/74 , B01D2257/11 , B01D2257/2066 , C01B23/001 , C01B2210/0029 , C01B2210/0035 , C01B2210/0042 , Y02P20/154
Abstract: 本发明提供了一种在不受废气流量变化以及组成变化影响的条件下，有效地分离精制废气中的有用气体组分并再次供给、而且可以有效地补充所消耗的组分的供气方法及其装置。在回收气体使用设备中排出的废气，分离精制该废气中所含的有用气体组分，将得到的有用气体组分供给到上述气体使用设备中的供气方法中，在从上述气体使用设备中排出的废气中，添加与上述有用气体组分相同组分的补充气体后分离精制有用气体组分。
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公开(公告)号：CN1599638A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824130.4
申请日：2002-12-04
CPC classification number: C01B23/0052 , B01D53/46 , B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/74 , B01D2257/11 , B01D2257/2066 , C01B23/001 , C01B2210/0029 , C01B2210/0035 , C01B2210/0042 , Y02P20/154
Abstract: 本发明提供了一种在不受废气流量变化以及组成变化影响的条件下，有效地分离精制废气中的有用气体组分并再次供给、而且可以有效地补充所消耗的组分的供气方法及其装置。在回收气体使用设备中排出的废气，分离精制该废气中所含的有用气体组分，将得到的有用气体组分供给到上述气体使用设备中的供气方法中，在从上述气体使用设备中排出的废气中，添加与上述有用气体组分相同组分的补充气体后分离精制有用气体组分。
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公开(公告)号：CN1114826C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN99800275.5
申请日：1999-03-05
Applicant: 日本酸素株式会社
CPC classification number: G01J3/4338
Abstract: 在通过使频率被调制的半导体激光透过减压状态的被测定气体来得到光吸收强度的2次微分谱来分析被测定气体中的微量杂质的气体的光谱分析装置中，设置根据半导体激光器(11)的特性控制激光的调制振幅用的调制振幅运算装置(1)、对由测定得到的2次微分谱中的峰的左右的极小值的波长间隔和峰的吸收强度进行运算的谱运算装置(2)和控制测定用气体单元(14)内的压力以使由谱运算装置(2)得到的吸收强度的值为最大用的压力调整装置(3)。设定激光的调制振幅的最佳值，使得2次微分谱中的峰的左右的极小值的波长宽度为0.0116nm。将调制振幅设定为最佳值，使测定压力最佳化。
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