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公开(公告)号：CN1083077C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN97111421.8
申请日：1997-05-20
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/10 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明提供了一种在安全性、简易性及速度方面对将坩锅1固定到单晶拉制设备之支承底座10上的操作进行的改进。在将坩锅1固定到支承底座10的方法中，支承底座10被分成一个底段11和一个可装配到底段11上的鼓形段12，坩锅1安装在底段11上。通过将鼓形段12装配到底段11上而组装成支承底座10。
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公开(公告)号：CN1174956A
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：CN97111421.8
申请日：1997-05-20
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC classification number: C30B15/30 , C30B15/10 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明提供了一种在安全性、简易性及速度方面对将坩埚1固定到单晶拉制设备之支承底座10上的操作进行的改进。在将坩锅1固定到支承底座10的方法中,支承底座10被分成一个底段11和一个可装配到底段11上的鼓形段12,坩埚1安装在底段11上。通过将鼓形段12装配到底段11上而组装成支承底座10。
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公开(公告)号：CN1160778A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN97101019.6
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，具有一个阶段(0＜t＜t1)，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，还有另一个阶段(t2＜t＜t3)，其中源材料停止加入，而用第一阶段的剩余熔化物拉制半导体单晶。
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公开(公告)号：CN1138878C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN97101009.9
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状源材料加进外坩埚里的半导体熔化物内的源材料供应管，注入进源材料供应管的源材料和惰性气体一起流向密封的容器，其特征为：在惰性气体的流速N(l/min.cm2)在0.0048P+0.0264＜N＜0.07P内的条件下注入源材料，这里P(Torr)是气密容器里的内压力。
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公开(公告)号：CN1134559C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN97101019.6
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 采用CZ生长工艺的半导体单晶生长方法，具有一个阶段(0＜t＜t1)，其中，在半导体单晶被拉制的同时，源材料连续地加入以使半导体熔化物量保持恒定，还有另一个阶段(t2＜t＜t3)，其中源材料停止加入，而用第一阶段的剩余熔化物拉制半导体单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1168859A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97104937.8
申请日：1997-03-25
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
Abstract: 一种利用安装有提升机构的承载设备来提升环形部件和将其承载和布置在预定位置的环形部件提升设备，它包括一个从提升机构悬挂下来的悬置部件，多个从悬置部件在一个水平平面内沿着径向延伸的支承臂。每个所述支承臂具有一个用于从环形部件的内部支承环形部件的啮合顶部。
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公开(公告)号：CN1165208A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN97101009.9
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状源材料加进外坩埚里的半导体熔化物内的源材料供应管，注入进源材料供应管的源材料和惰性气体一起流向密封的容器，其特征为：在惰性气体的流速N(l/min.cm2)在0.0048P+0.0264＜N＜0.07P内的条件下注入源材料，这里P(Torr)是气密容器里的内压力。
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公开(公告)号：CN1150354C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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公开(公告)号：CN1138877C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN97101233.4
申请日：1997-02-05
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔石英材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/12 , Y10T117/10
Abstract: 单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并且包括内层A、外层C和位于内层和外层之间的中间层B，并且，中间层B由具有比构成内坩埚30的内层A和外层C的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。
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公开(公告)号：CN1163949A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN96123966.2
申请日：1996-12-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶提拉装置主结构，包括一舱室其内有一双坩埚(3)以存储半导体熔体(21)，双坩埚包括彼此相通的外坩埚(11)和内坩埚(12)，和一原料供应管(5)，它从舱室上部悬挂且定位使粒状原料(8)可从其底端开口(5a)引入到外坩埚(11)和内坩埚(12)之间的半导体熔体。一倾斜部分配备在原料供应管(5)底端内坩埚(12)一侧，以使从原料供应管底部开口(5a)出来的原料(8)降落进入邻近外坩埚(11)侧壁的半导体熔体(21)处。
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