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公开(公告)号：CN117594500B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410077575.7
申请日：2024-01-19
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/603
摘要： 本发明提供一种芯片热压键合装置及方法，所述芯片热压键合装置包括若干个子键合单元，每个所述子键合单元均包括键合吸嘴、吸嘴底座、子传感器、子活塞和子控制器；所述键合吸嘴经所述子活塞装配于所述吸嘴底座上；所述子传感器用于实时监测所述键合吸嘴的压力和/或温度，所述子控制器用于根据所述子传感器的数据和设定的温度和/或压力数据，调整所述子活塞的高度和/或所述键合吸嘴的温度。其为集成式键合装置，每个子键合单元都能独立控制高度、压力和温度，以此解决芯片键合过程中压力不均匀或区域键合效果差的问题，同时子键合单元之间形成有间隔，间隔大小可以调整，以匹配热压键合过程中芯片的横向涨缩带来的平面尺寸的变化问题。
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公开(公告)号：CN117542794B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410033735.8
申请日：2024-01-10
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 本发明提供一种基于转接板的三维堆叠封装结构及其制作方法，制作所述封装单元的工艺流程包括，在形成贯穿基板的导电柱和镂空腔之后，将具有不同尺寸、不同功能的芯片以面对面方式嵌入镂空腔中，实现具有不同功能芯片的三维堆叠封装方案，同时减少器件之间的信号延迟，能够实现高性能、高速的封装集成；叠置的芯片分别通过TSV柱电性引出至芯片的背面，通过于基板的相对主面上设置金属互连结构使芯片与转接板的导电柱电性互连，制作所得的多个封装单元依次叠置，在不增加封装结构的占地面积的前提下，实现多芯片系统级封装。
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公开(公告)号：CN117438457B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311725665.4
申请日：2023-12-15
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、外延叠层、凹槽栅结构、金属源极和金属漏极，外延叠层包括自下而上依次叠置的GaN沟道层和势垒层，凹槽栅结构包括自下而上依次叠置的GaN层、Al组分渐变的AlGaN层以及金属栅极；金属源极和金属漏极分别设置于贯穿势垒层而至GaN沟道层的开口中。本发明利用局域Al组分渐变AlGaN层产生高浓度的空穴，对栅下二维电子器的耗尽，实现增强型GaN基HEMT器件，Al组分渐变AlGaN层与P型GaN相比具有更大的禁带宽度，能够有效改善栅漏电，提高击穿电压，以及提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117438299A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311766582.X
申请日：2023-12-21
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种III‑V族化合物半导体材料的刻蚀方法，包括：基于图形化的硬掩膜层，通过多次循环的原子层刻蚀过程自外延层的显露部分去除预定厚度的外延材料，每次原子层刻蚀过程通过交替执行钝化步骤和刻蚀步骤的方式来执行，包括：在向衬底施加偏压的情况下，用含有氧离子的第一气体混合物对外延层的显露部分进行表面修饰，形成表面钝化层；将表面钝化层暴露于含有氯离子的第二气体混合物，去除表面钝化层。本发明通过先后将外延层暴露于含有氧离子和氯离子的反应物体系构成原子层刻蚀循环，实现对刻蚀深度和均匀度的精确控制，提升刻蚀工艺的控制精度，多次循环地执行上述ALE过程，能够大幅度缩短工序步骤。
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公开(公告)号：CN117410166A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311724779.7
申请日：2023-12-15
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种用于提高刻蚀均匀度的整流组件，包括：支承环和多个叶片，多个叶片位于支承环上且沿支承环的周向排布，各叶片枢接至支承环，叶片朝向支承环中心的一端处于支承环的内环正投影以内且远离支承环的一端通过传动机构连接至致动机构，致使叶片绕枢轴转动以使多个叶片共同围合成相对于支承环的内环面积更小的通流区域。本发明利用利用多个叶片界定出与支承环的内环面积相比更小的通流区域，由此修整到达待处理晶圆表面的气流分布，应用前述的整流组件，根据刻蚀的进程可操作致动机构以带动多个叶片中的至少一些绕枢轴转动，实时调整共同界定的通流区域的轮廓，来赋予刻蚀均匀度的调节能力。
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公开(公告)号：CN117371396A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311676078.0
申请日：2023-12-08
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： G06F30/398 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件自热效应建模方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括获取目标器件在多组测试脉冲信号下的电流‑电压测试数据作为脉宽测试数据，获取目标器件在连续波信号下的电流‑电压测试数据以作为连续波测试数据；在建模软件中搭建多阶RC网络并将其串联以作为初态自热效应模型，基于多组测试脉冲信号的脉宽对所有阶RC网络的热时间常数进行限定；通过初态自热效应模型进行拟合获取相应拟合状态下的总热阻值，基于所有总热阻值和所有热时间常数范围，通过预设最优解获取方式获取每阶RC网络的最优热阻值和最优热容值；进而获取目标器件的自热效应模型。本发明热阻热容值提取过程简单成本低廉，且多阶RC网络更易于嵌入大信号模型中。
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公开(公告)号：CN113066771B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110309148.3
申请日：2021-03-23
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/16 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种多层堆叠微系统结构；包括硅片，所述硅片的中间内部固定镶嵌焊接有功能芯片，所述硅片的上部焊接有上盖硅片，所述上盖硅片的上表面贴装功率数字芯片，所述上盖硅片的上部还焊接安装有第一散热金属壳体，所述硅片的下部焊接有转接板，所述转接板的下部贴装有功率射频芯片，所述转接板的下部贴装连接有PCB板，所述PCB板的下表面固定贴装有第二散热金属壳体；本发明利用转接板工艺在模组的中间布置功能芯片，然后在功能芯片的两面布置功率数字芯片和功率射频芯片，在功率数字芯片和功率射频芯片的上面和下面各设置散热装置，使功率芯片的热能够及时散到终端上，避免模组温度升高。
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公开(公告)号：CN111341678B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202010128851.X
申请日：2020-02-28
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/54 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种不同厚度芯片嵌入的封装方法，包括以下步骤：A，在硅转接板表面制作TSV，在转接板另一面制作凹槽，使TSV金属露出，把不同厚度的芯片嵌入到凹槽中，此处芯片厚度小于凹槽深度，使TSV金属跟芯片PAD互联；B，在凹槽中填充胶体使芯片和凹槽缝隙被填满，减薄芯片背面得到嵌有芯片的转接板结构。
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公开(公告)号：CN116959981A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310904009.4
申请日：2023-07-20
申请人： 浙江集迈科微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明提供一种增强型AlGaN/GaN基HEMT器件的制备方法，在AlGaN/GaN异质结上形成InGaN层，以图形化的InGaN层作为掩膜形成P‑GaN层，通过高温退火使InGaN层分解而AlGaN势垒层不发生分解，以去除InGaN层显露AlGaN势垒层，使AlGaN势垒层厚度得到稳定控制，且表面不受离子轰击，无刻蚀损伤，从而该方法有利于提高制备的增强型HEMT GaN器件的可靠性。
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