公开(公告)号：CN112062085B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010947095.3

申请日：2020-09-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郭西 ,  郁发新 ,  冯光建 ,  黄雷 ,  高群 ,  顾毛毛

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，包括以下步骤：(a)、在第一硅片上沉积第一绝缘层和第一金属层；(b)、在第一金属层上设置第一凸起和第二凸起，设置第一互联柱，将第一凸起和第二凸起去除，得到第二硅片；(c)、在第二硅片上覆盖光刻胶，将第一互联柱上的光刻胶去除，硬烤成膜形成第一介质胶层；(d)、去除第一介质胶层和第一互联柱的不平整；(e)、沉积第一种子层，在第一种子层上形成第三凸起，沉积第二金属层，去除第一种子层和第三凸起，得到传输线结构。本发明的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，采用光刻胶作为介质，传输线结构采用精度较高的光刻工艺，提升了结构的精准程度和电学性能。

公开(公告)号：CN110690129B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910904853.0

申请日：2019-09-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种具有防溢锡结构的三维异构堆叠方法，具体包括如下步骤：101)垫层制作步骤、102)再次处理步骤、103)去除步骤、104)防溢步骤；本发明提供凸点或焊圈和焊盘金属就会有一定的距离为焊锡保留提供足够空间的一种具有防溢锡结构的三维异构堆叠方法。

公开(公告)号：CN110010501B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201811177019.8

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  刘长春 ,  郑赞赞 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种防辐射型系统级封装光电模块工艺，包括如下步骤：101）盖板制作焊盘步骤、102）盖板上制作空腔步骤、103）盖板上制作通孔步骤、104）底座上制作凹坑步骤、105）底座处理步骤、106）封装步骤；本发明提供有效避免模块内部光电芯片被辐射，同时适合批量生产的一种防辐射型系统级封装光电模块工艺。

公开(公告)号：CN110010575B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811593482.0

申请日：2018-12-25

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郁发新

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种栓塞互联式的TSV结构及其制作方法，包括载板，载板上设置TSV孔，TSV孔深度小于载板厚度，金属柱生成在TSV孔内，金属柱的高度高于TSV孔深度，金属柱高于TSV孔深度的部分覆盖有金属层，金属层上表面布置RDL，金属柱包括固定部和金属柱本身，金属柱截面呈长方形，固定部全部在金属层内，金属柱上设置绝缘层；本发明提供提高了转接板的互联稳定性的一种栓塞互联式的TSV结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN110010482B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201811176921.8

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 陈雪平 ,  冯光建 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）制作柔性线路板步骤、102）互联焊盘处理步骤、103）盖板处理步骤、104）密封步骤；本发明提供制作系统级封装结构成本低，集成度高，减少了射频芯片工作时的相互干扰的一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺。

公开(公告)号：CN111341669A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010134698.1

申请日：2020-03-02

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58

摘要： 本发明公开了一种芯片再分布方法，具体包括如下步骤：101)制作凸点步骤、102)下压接触步骤、103)成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化，调整芯片与载板接触高低，保证了芯片本身平面度一致的一种芯片再分布方法。

公开(公告)号：CN111341667A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010128863.2

申请日：2020-02-28

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，包括以下步骤：A，在硅片表面制作深腔，深腔沉积钝化层，在深腔嵌入表面涂胶的芯片，芯片PAD面朝下；B，对转接板进行减薄，在芯片和深腔的缝隙内填胶，上面用胶粘贴盖板；C，减薄转接板下表面，刻蚀凹槽使芯片PAD露出，在凹槽表面沉积钝化层，刻蚀PAD表面钝化层，在凹槽引出电镀金属，在金属表面制作RDL和焊盘，植球，最后减薄转接板上表面得到最终结构。

公开(公告)号：CN111243970A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010128870.2

申请日：2020-02-28

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种空腔中芯片嵌入工艺，包括以下步骤：A，在SOI硅片表面制作TSV，孔底停在SOI上面，然后继续刻蚀SOI层，使TSV孔停在硅上；B，填充TSV孔，减薄硅片另一面，在另一面制作凹槽，凹槽停在SOI层；C，继续刻蚀凹槽，使TSV底部金属露出，在空腔内粘贴底部带有焊料的芯片；D，在芯片和空腔的间隙填充胶体固化，去除芯片表面胶体，得到最终嵌有芯片的空腔。

公开(公告)号：CN110690129A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910904853.0

申请日：2019-09-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明公开了一种具有防溢锡结构的三维异构堆叠方法，具体包括如下步骤：101)垫层制作步骤、102)再次处理步骤、103)去除步骤、104)防溢步骤；本发明提供凸点或焊圈和焊盘金属就会有一定的距离为焊锡保留提供足够空间的一种具有防溢锡结构的三维异构堆叠方法。

公开(公告)号：CN110673445A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910904894.X

申请日：2019-09-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  高卫斌 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种超厚胶膜的平坦化处理方法，具体包括如下步骤：101)初步喷涂步骤、102)涂胶步骤、103)制备胶膜步骤和104)制备超厚胶膜步骤；本发明提供具有超厚保护膜、且成品率高的一种超厚胶膜的平坦化处理方法。