公开(公告)号：CN111952196B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202010855815.3

申请日：2020-08-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  黄雷 ,  高群 ,  郭西 ,  顾毛毛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/52

摘要： 本发明提供一种凹槽芯片嵌入工艺，包括以下步骤：(a)、提供衬底，在衬底正面刻蚀不同深度的TSV，电镀使金属填满TSV，抛光去除衬底正面金属，在衬底正面制作RDL和焊盘，对衬底正面做临时键合，衬底背面做减薄使长的TSV背部露头，得到第一衬底；(b)、在第一衬底背面刻蚀空腔，使短的TSV底部露出，沉积钝化层，表面涂布光刻胶，曝光显影使TSV底部露出，刻蚀钝化层使TSV底部金属露出；(c)、在空腔内嵌入芯片，填充芯片和空腔的缝隙，在芯片表面制作RDL和焊盘，得到最终结构。本发明的凹槽芯片嵌入工艺，通过光刻胶来保护空腔底部的方式，用刻蚀工艺对空腔底部TSV进行开口，能避免整面刻蚀对空腔底部钝化层的损伤，有利于TSV底部的钝化层开口，破坏空腔底部钝化层。

公开(公告)号：CN111952194B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202010855293.7

申请日：2020-08-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 黄雷 ,  冯光建 ,  高群 ,  郭西 ,  顾毛毛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/46

摘要： 本发明提供一种射频芯片液冷散热工艺，包括以下步骤：(a)、提供衬底，在衬底正面刻蚀不同深度的TSV，电镀使金属填满TSV，制作RDL和焊盘，对衬底正面做临时键合，衬底背面做减薄使长的TSV底部露头，得到第一衬底；(b)、在第一衬底背面刻蚀空腔，使TSV底部金属露出，在空腔内嵌入芯片，在第一衬底背面制作RDL和焊盘；(c)、在芯片背面的衬底面刻蚀空腔到芯片底部，继续刻蚀使空腔达到芯片的内部，使空腔直达芯片的散热区域，得到第一衬底；(d)、形成具有微流道散热的最终结构。本发明的射频芯片液冷散热工艺，通过在衬底底部开凹槽的方式，把凹槽直接开到芯片发热器件的底部，通过液冷散热通道使芯片的热量能够快速的传递出去，大大增加了系统的散热能力。

公开(公告)号：CN112062085B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010947095.3

申请日：2020-09-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郭西 ,  郁发新 ,  冯光建 ,  黄雷 ,  高群 ,  顾毛毛

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，包括以下步骤：(a)、在第一硅片上沉积第一绝缘层和第一金属层；(b)、在第一金属层上设置第一凸起和第二凸起，设置第一互联柱，将第一凸起和第二凸起去除，得到第二硅片；(c)、在第二硅片上覆盖光刻胶，将第一互联柱上的光刻胶去除，硬烤成膜形成第一介质胶层；(d)、去除第一介质胶层和第一互联柱的不平整；(e)、沉积第一种子层，在第一种子层上形成第三凸起，沉积第二金属层，去除第一种子层和第三凸起，得到传输线结构。本发明的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，采用光刻胶作为介质，传输线结构采用精度较高的光刻工艺，提升了结构的精准程度和电学性能。

公开(公告)号：CN111968941B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010855270.6

申请日：2020-08-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  郭西 ,  顾毛毛 ,  黄雷 ,  高群

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/56

摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆级贴片互联方式，包括以下步骤：把芯片贴在基板上，在基板表面涂布胶体，用模具把胶体固化，使胶体在芯片表面和侧壁形成保护层；把基板和芯片表面的胶体刻蚀掉，剩下芯片侧壁的胶体，在胶体表面沉积种子层，涂布光刻胶，曝光定义RDL层；在基板表面电镀金属，去除光刻胶和种子层，形成一种贴片互联结构。本发明通过在晶圆级基板表面制作高密度互联线，用晶圆级贴片方式把芯片贴在晶圆表面，然后通过在芯片表面制作缓冲介质，形成一个连接芯片表面和底部基板的斜坡，可以用晶圆级布线工艺在斜坡上制作互联线，制作的芯片模块面积小，可靠性好，可以整晶圆的制作，产能大。

公开(公告)号：CN113066781B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110309094.0

申请日：2021-03-23

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郭西 ,  冯光建 ,  顾毛毛 ,  黄雷 ,  高群

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种转接板堆叠模组，包括底座晶圆和盖帽晶圆；底座晶圆的第一表面设有RDL和焊盘以及与焊盘连接的焊球；底座晶圆的第二表面设有空腔，在底座晶圆的第二表面和空腔中设有RDL和焊盘；芯片置于底座晶圆的空腔中并与底座晶圆空腔底部的焊盘连接，再通过底座晶圆中设置的TSV导电柱与底座晶圆第一表面的RDL连接；底座晶圆中还设有连通其第一表面和第二表面的RDL的TSV导电孔；盖帽晶圆的第一表面和第二表面均设有RDL和焊盘；在盖帽晶圆的第一表面设有与底座晶圆第二表面空腔相对应的空腔；盖帽晶圆中还设有连通其第一表面和第二表面的RDL的TSV导电孔；盖帽晶圆中的TSV导电孔与底座晶圆中的TSV导电孔相对应；能够为较厚的芯片提供嵌入的空间。

公开(公告)号：CN111968919B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202010855285.2

申请日：2020-08-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  高群 ,  黄雷 ,  顾毛毛 ,  郭西

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/473 ,  H05K3/30

摘要： 本发明提供一种射频模组散热工艺，包括以下步骤：(a)、提供衬底，衬底正面形成侧壁焊盘，制作TSV导电柱、RDL和互联焊盘；(b)、在衬底背面形成侧壁焊盘，形成第二衬底；(c)、在衬底背面干法刻蚀凹槽，使TSV导电柱顶部金属露出，形成第三衬底；(d)、在第三衬底背面凹槽嵌入芯片，在第三衬底背面制作RDL和互联焊盘，形成第四衬底；(e)、提供PCB板和散热导管，切割第四衬底成单一模组，在模组背面贴装散热导管，将模组的侧壁焊盘和PCB板一侧的互联焊盘做贴片，散热导管内充入循环液体做散热，得到具有散热能力的射频模组。本发明的射频模组散热工艺，既能实现高可靠性的散热功能，还能有助于模组的稳定焊接。

公开(公告)号：CN111653491B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010587711.9

申请日：2020-06-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/473

摘要： 本发明公开了一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，具体包括如下步骤：101)上散热底座制作步骤、102)散热底座制作步骤、103)芯片集成步骤；本发明通过在芯片底部设置散热微流通道做散热器，同时在芯片发热点位置或附近区域分布设置加装二次散热微流通道，使该区域热量能够更快的被散热流体带走，避免了热点因为热量较大而导致芯片失效的问题的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法。

公开(公告)号：CN113257786B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110669347.5

申请日：2021-06-17

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  马飞 ,  黄雷 ,  郭西

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/66

摘要： 本发明提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的重新布线结构，可将多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，以解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步的，通过位于布线密集区的TSV柱，可将信号由多层布线转接板的一面直接传输到转接板的另一面，从而可减少信号传输距离，降低损耗，提高空间利用率。

公开(公告)号：CN113471161A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110719405.0

申请日：2021-06-28

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  黄雷 ,  郭西 ,  高群 ,  顾毛毛

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种用于射频传输的多层布线转接板及其制备方法，通过在基底的凹槽中制备具有一定金属布线层的第一重新布线结构，而后在基底上制备与TSV柱及第一重新布线结构电连接的第二重新布线结构，从而多层布线转接板划分为布线密集区及布线稀疏区，其中，第一重新布线结构位于布线密集区，且布线密集区中的金属布线层数大于布线稀疏区中的金属布线层数，该多层布线转接板可解决由于多层布线所造成的应力较大的问题所导致的翘曲及分层等质量问题，且可降低工艺难度；进一步还可包括与第一重新布线结构电连接的第一TSV柱，以将芯片信号自基底的第一面直接传输至第二面，从而可缩短信号传输路径。

公开(公告)号：CN113174620A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110437208.X

申请日：2021-04-22

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  黄雷 ,  高群 ,  郭西 ,  顾毛毛

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/08 ,  C23C14/14 ,  C25D17/08 ,  C25D5/48 ,  C25D5/02 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法。本发明的电镀方法包括以下步骤：在基材上形成通孔，在基材的表面制作钝化层，并在钝化层上形成种子层；制作辅助载具，并在所述辅助载具表面对应制作焊接点，然后在载具表面制作微流道槽；把所述辅助载具与基材结合成为复合片，把复合片放置在电镀机中电镀，电镀液通过喷射方式向基材表面喷射液体；电镀完成后基材的两面及通孔内均形成金属层，对去除辅助载后的转接板进行双面抛光，得到带有TSV金属柱的转接板。本发明用通孔工艺代替原来的盲孔工艺，在基材的表面形成种子层以实现深TSV通孔的导电，通过背面吸药液的方式，加快TSV孔内的药液更换，实现深孔的侧壁电镀。