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公开(公告)号：CN1238860C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN02143985.0
申请日：2002-09-30
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/008 , B32B18/00 , B32B2311/08 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01G4/30
摘要： 本发明揭示一种导电糊、迭层陶瓷电子器件的制造方法及迭层陶瓷电子器件。在导电糊中加上导电金属粉及有机赋形剂，使其含有陶瓷粉。陶瓷粉为Re(La等)、包括Mg及Mn的化合物的至少一种、并且焙烧过的ABO3系(A为Ba等、B为Ti等)的粉末，具有比金属粉更小的平均粒径，并且是在构成陶瓷层的基体用陶瓷的烧结温度下不烧结的粉末。在迭层陶瓷电容器中，为了不易因烧结时的陶瓷层和内部导体膜间的收缩行为之差别引起产生裂缝等缺陷，所以，在让内部导体膜用的导电糊含有陶瓷粉之同时，做成使得该陶瓷粉不会给陶瓷层的电气特性带来不良影响。
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公开(公告)号：CN1231925C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN01135468.2
申请日：2001-10-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/016 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3293 , C04B2235/763 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01C7/043 , H01C7/045
摘要： 一种具有负电阻温度系数的半导体陶瓷，该单元包括约0.1～20mol%的AmnO3，其中A代表Ca、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy与Ho中的至少一种；和一种由Mn固溶液与Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg与Al中至少一种元素组成的尖晶石复合氧化物。作为一种钙钛矿Mn复合氧化物，可以使用CaMnO3、SrMnO3、BaMnO3、LaMnO3、PrMnO3、NdMnO3、SmMnO3、EuMnO3、GdMnO3、TbMnO3、DyMnO3与HoMnO3中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN1226232C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02122046.8
申请日：2002-05-29
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/495 , H01B3/12 , H01L41/187 , H03H9/00 , H01G4/12
CPC分类号： H03H9/178 , B32B2311/08 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/34 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/662 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2237/408 , H01L41/1873 , H01L41/257
摘要： 本发明提供了以式(Na1-xLix)NbO3表示的具有主要由Na、Li、Nb及O元素构成的钙钛矿结构的化合物为主成分、且机械品质因数Qm有所提高的压电陶瓷组合物。其主成分的结晶系与原来在室温下稳定的结晶系不同，原来在比室温高的温度区稳定的结晶系在室温下为准稳定状态。
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公开(公告)号：CN1680212A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510065077.8
申请日：2003-07-24
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/491
CPC分类号： C04B35/493 , B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , H01L41/083 , H01L41/1876
摘要： 由通式Pbα[{Niw/3Nb1－(w/3)}xTiyZrz]O3表示的压电陶瓷组合物。B点变量x、y和z位于三元图解的预定区域中。所述Ni－Nb摩尔比例变量满足关系0.85≤w＜1.00。Pb摩尔含量α从化学计量比率降低至满足关系0.950≤α≤0.995的值。可以用选自Sr、Ca和Ba中的至少一种元素代替10％(摩尔)的Pb，使之低于化学计量比率。
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公开(公告)号：CN1675143A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819066.4
申请日：2003-07-30
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/638 , B32B2311/08 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/668 , C04B2235/94 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/408 , H05B3/141
摘要： 本发明提供一种与传统工艺相比具有较大面积和较小厚度的氮化铝烧结体，其中氮化铝烧结体具有受控的翘曲和/或波纹高度的平整度。本发明还提供制造这种烧结体的方法，并还提供使用这种烧结体的金属化基片和加热器。一种氮化铝烧结体(1)，其最大长度等于或大于320mm，厚度大于0mm并且等于或小于2mm，翘曲等于或大于0μm/mm并且小于2μm/mm，局部波纹高度等于或大于0μm并且等于或小于100μm。
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公开(公告)号：CN1673187A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056517.3
申请日：2005-03-18
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： C04B35/195 , B32B2311/08 , C04B35/117 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/408 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种由多个玻璃陶瓷层构成的叠层陶瓷基板。各陶瓷层包含非晶态玻璃及氧化铝(Al2O3)，在各玻璃陶瓷层的表面上形成有由银制成的配线图案。非晶态玻璃是，由例如富硅高岭石(CaAl2Si2O8)构成。在叠层陶瓷基板中，以使结晶度小于12％的方式设定烧成温度的上限。另外，将烧成温度的下限设定为满足以下条件，即，相对于结晶度为25％的场合下的叠层陶瓷基板的烧成后的密度具有95％以上的烧结密度。由此，能够提高成品率从而减少成本，且可靠性高的叠层陶瓷基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1670868A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510009049.4
申请日：2005-02-17
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： C04B35/462 , B32B2311/08 , C04B35/465 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/6025 , C04B2235/9615 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/408 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
摘要： 本发明提供一种电介质瓷器组合物，其特征是：含有电介质材料，所述电介质材料，是令在由a·Li2O－b·(CaO1－X－SrOX)－c·R2O3－d·TiO2(其中，x满足0≤x＜1，R是从包含La、Y的稀土类元素中选择出的至少一种，且a、b、c以及d满足，0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％)表示的电介质组成中，含有属于周期表4族以及14族的金属元素的氧化物之中的至少一种来构成的。
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公开(公告)号：CN1475457A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03178611.1
申请日：2003-05-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01B3/12
CPC分类号： B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01L41/0474 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/293 , H01L41/43 , Y10T29/42
摘要： 一种层叠型压电元件2的制造方法，该层叠型压电元件具有使压电层8和内部电极层4，6交替层叠的元件主体10，上述压电层8由压电陶瓷构成，该压电陶瓷具有呈钙钛矿型结构的复合氧化物，该复合氧化物至少含有铅、锆和钛。该方法包括：使用含有至少铅、锆、钛的各种化合物并具有累积90％粒子径在1μm以下的原料混合物，制作压电层用陶瓷生片的工序；将制作的压电层用陶瓷生片和内部电极层用前驱体层进行交替层叠，形成烧成前元件主体的工序；和将上述烧成前元件主体在1100℃以下的温度进行烧成，形成上述元件主体10的工序。
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公开(公告)号：CN1473452A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802778.7
申请日：2002-07-08
申请人： IBIDEN股份有限公司
发明人： 伊藤康隆
CPC分类号： H05B3/143 , B32B18/00 , B32B38/145 , B32B2311/08 , C04B35/56 , C04B35/5626 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/6264 , C04B35/62655 , C04B35/63 , C04B35/6303 , C04B35/634 , C04B35/645 , C04B37/025 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3227 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/3821 , C04B2235/3826 , C04B2235/3865 , C04B2235/606 , C04B2235/94 , C04B2237/04 , C04B2237/40 , C04B2237/403 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/6833
摘要： 本发明的目的是提供一种陶瓷加热器，它们稳定地支承半导体晶片并均匀地加热整个半导体晶片等，不会使其产生任何弯曲。本发明的陶瓷加热器包括：盘状陶瓷基片；形成于陶瓷基片表面或里面的加热元件；和让提升销穿过陶瓷基片的通孔，其中形成的通孔数为三个或以上，而且诸通孔形成于某一区域，它与陶瓷基片中心的距离为该中心与陶瓷基片外缘距离的1/2或以上。
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公开(公告)号：CN1462045A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03138146.4
申请日：2003-05-30
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01F1/348 , B32B2311/08 , C04B35/2633 , C04B35/6303 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/767 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/9615 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , H01F1/16 , Y10T428/24926 , Y10T428/32
摘要： 本发明提供的氧化物磁性材料是含Sr的六角晶系铁氧体的氧化物磁性材料，该材料在晶粒周围存在晶粒间界相，在晶粒间界相中含有不小于2重量％，较好不小于5重量％的Sr，以及不小于10重量％，较好不小于25重量％的至少一种选自Bi、V、B和Cu的添加元素。
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