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公开(公告)号：CN102718478A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210100332.8
申请日：2012-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供交流击穿电场高、静电容量的温度特性良好、介电常数高、耐还原性良好的电介质陶瓷组合物。所述电介质陶瓷组合物为含有以(BaxBiy)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分和第2副成分的电介质陶瓷组合物，上述组成式中的y为0.001≤y≤0.010，且上述组成式中的x和y之和为0.975≤x+y≤1.010，上述第1副成分为氧化锌，上述第2副成分为选自Y、La、Ce、Nd、Sm、Mn和Ni的至少1种的氧化物，以上述主成分按100重量份计，含有2重量份以上、12重量份以下的上述第1副成分，以上述主成分按100重量份计，换算成氧化物，含有0.008重量份以上、0.08重量份以下的上述第2副成分。
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公开(公告)号：CN100509697C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610132112.8
申请日：2006-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49
CPC classification number: C04B35/49 , C04B2235/3201 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其可以抑制比介电常数对烧结温度的依存性，而且可以使机械强度得以提高。本发明的电介质陶瓷组合物的特征在于：在图1所示的ZrO2、SnO2和TiO2的三元组成图中，以由点A、点B、点C、点D、点E、点F所包围区域的组成为主要成分，并且相对于该主要成分，含有ZnO：0.5～5wt%、NiO：0.1～3wt%、SiO2：0.008～1.5wt%。另外，相对于上述主要成分，可以含有Nb2O5：0.2wt%以下、K2O：0.035wt%以下。
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公开(公告)号：CN100408508C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200480017250.0
申请日：2004-09-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/493
CPC classification number: C04B35/491 , C01G45/125 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/493 , C04B35/62655 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , H01L41/1876
Abstract: 本发明高精度地且生产效率不受损失地提供耐热性优良的压电陶瓷组合物、以及压电元件。在含有以Pb、Zr、Ti为主成分的钙钛矿化合物的压电陶瓷组合物中，含有以Cr2O3计为0.025～0.250重量%的Cr作为副成分。根据本发明的压电陶瓷组合物，可以将受到外部热冲击前后的机电耦合系数k15的变化率Δk15的绝对值限定在3.0%或以下。优选含有以Cr2O3计为0.030～0.200重量%的Cr作为副成分。
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公开(公告)号：CN1260174C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03178611.1
申请日：2003-05-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/622 , H01L41/187 , H01B3/12
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/62 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01L41/0474 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/293 , H01L41/43 , Y10T29/42
Abstract: 一种层叠型压电元件2的制造方法，该层叠型压电元件具有使压电层8和内部电极层4，6交替层叠的元件主体10，上述压电层8由压电陶瓷构成，该压电陶瓷具有呈钙钛矿型结构的复合氧化物，该复合氧化物至少含有铅、锆和钛。该方法包括：使用含有至少铅、锆、钛的各种化合物并具有累积90%粒子径在1μm以下的原料混合物，制作压电层用陶瓷生片的工序；将制作的压电层用陶瓷生片和内部电极层用前驱体层进行交替层叠，形成烧成前元件主体的工序；和将上述烧成前元件主体在1100℃以下的温度进行烧成，形成上述元件主体10的工序。
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公开(公告)号：CN103449812B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310203788.1
申请日：2013-05-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103449812A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310203788.1
申请日：2013-05-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。
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公开(公告)号：CN101260000A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810082688.7
申请日：2008-03-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/46 , C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷(压电体层2)的制造方法，它是对包含TiO2原料、ZrO2原料以及PbO原料为主要成分的压电材料进行烧成而制造压电陶瓷的压电陶瓷的制造方法，其特征在于，混合到压电材料中的P2O5的含量范围为40ppm以上且350ppm以下，该P2O5以被包含于TiO2原料以及ZrO2原料中的形式混合到压电材料中。发明者们发现，当用于压电陶瓷的压电材料中含有P，该P以P2O5的形态通过TiO2原料以及ZrO2原料而混入上述范围的量时，可以显著地提高压电应变特性。
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公开(公告)号：CN101691298B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200910006620.5
申请日：2009-02-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3289 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/727 , C04B2235/768 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。本发明的电介质陶瓷组合物具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分；包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分；和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分。
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公开(公告)号：CN103224388A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310032130.9
申请日：2013-01-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
Abstract: 本发明有鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。另外，本发明的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本发明提供了一种电介质陶瓷组合物，是具有由(BapSrqCarBis)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分、以及第2副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的q为0.080以下，所述组成式中的r为0.020以上0.080以下，所述组成式中的s为0.002以下，且所述组成式中的p、q、r与s的合计满足0.996≤p+q+r+s≤1.010的关系。
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公开(公告)号：CN101691298A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910006620.5
申请日：2009-02-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3289 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/727 , C04B2235/768 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。本发明的电介质陶瓷组合物具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分；包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分；和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分。
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