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公开(公告)号：CN1754158A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200380109292.2
申请日：2003-12-22
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： G06F12/0817 , G06F12/0835
摘要： 一种数据处理系统(100，600)，具有包括高速缓存器(124，624)和较低级的存储器系统的存储器分级结构。具有特殊注入写入属性的数据元是从如以太网络控制器的数据产生器(160，640)接收到的。该数据元被直接发送到该高速缓存(124，624)而不对该低级存储器系统(170，650)进行访问。随后该高速缓存(124，624)中至少一个包含有该数据元的缓存行被更新。
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公开(公告)号：CN1742368A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200380109159.7
申请日：2003-12-22
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/288 , H01L21/76846 , H01L21/76859 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L2221/1089
摘要： 通过电镀过程可在下面材料的表面区域上形成金属层，由于在沉积下面材料期间通过CVD、PVD或ALD至少部分地沉积或搀入催化剂，所以该电镀过程被催化激活。用这种方法，在金属化结构的高纵横比通孔中可形成优异的金属晶种层。
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公开(公告)号：CN1729576A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN03809784.2
申请日：2003-04-28
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28097 , H01L29/4975 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659
摘要： 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置系由提供基材(32)，并在基材(32)上提供介电层(34)而制成。多晶硅体(36)设于介电层(34)上，而金属层(60)则设于多晶硅体(36)上。进行硅化过程以大致上硅化整个多晶硅体(36)，然后在介电层(34)上形成栅极(62)。在另一个制程中，帽罩层(90)设于多晶硅体(86)上，而此帽罩层(90)在硅化过程之前被移除。在二个实施例中，在硅化过程之前，多晶硅体(36、86)掺杂着选定的物种，在硅化过程中掺杂剂(39、89)驱往介电层(34、84)以形成栅极部位(60、150)，其毗邻于电介质(34、84)处具有高浓度的掺杂物。物种的型式与浓度可用作对于决定形成的栅极的工作函数的手段。
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公开(公告)号：CN1714322A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200380103805.9
申请日：2003-11-06
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B2219/33104 , G05B2219/45031 , Y02P90/14 , Y02P90/20
摘要： 一种实施多变量过程控制系统的方法及装置。在第一时间期间，使用主要过程控制功能来处理工件。在处理该工件的该第一时间期间的至少一部分期间，执行辅助过程控制功能。该辅助过程控制功能可修改至少一个辅助控制参数。
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公开(公告)号：CN1685520A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823253.7
申请日：2003-09-12
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/4933 , H01L21/28052 , H01L29/1054 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/66795 , H01L2029/7858
摘要： MOSFET栅极或MOSFET源极或漏极区域包括硅锗或者多晶硅锗。以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物(62，64)，该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了镍单硅化物所呈现的较好薄层电阻。结果，在随后的处理期间，镍锗硅化物比镍单硅化物更能够抵挡较高的温度，而却仍能够提供与镍单硅化物大约相同的薄层电阻与其它有利特性。
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公开(公告)号：CN1685511A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03820840.7
申请日：2003-08-29
申请人： 先进微装置公司
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0629 , H01L27/0805
摘要： 一种半导体装置包含一场效应晶体管(250)与一被动电容器(240)，其中该电容器(240)的电介质层(221a)包含高k(高介电常数)材料，而该场效应晶体管(250)的栅极绝缘层(231)则由超薄氧化物层或者氧氮化物层所形成，以便提供用于在栅极绝缘层与底层沟道区域之间界面上的较好载流子迁移率。因为在电容器里的载流子迁移率并不是很重要，所以高k材料则能允许单位面积高电容量的架构，而仍具有能充分有效减少漏电流的厚度的特征。
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公开(公告)号：CN1685495A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823370.3
申请日：2003-09-19
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种方法包括根据操作程序至少执行一种工艺以形成半导体装置上的结构。测量特征的一种电特性。所测得的电特性和目标值的电特性相比较。根据其比较结果至少决定一个操作程序的参数。一种包括工艺工具(30至80、200、210、220、230)、量测工具(30至80、250)，以及控制器(140)的系统(10，100)。该工艺工具(30至80、200、210、220、230)可根据一个操作程序执行至少一个形成半导体装置的结构的工艺。该量测工具(30至80、250)可测量该结构的电特性。该控制器(140)可比较测得的电特性和目标值的电特性，并且根据其比较结果至少决定一个操作程序的参数。
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公开(公告)号：CN1685492A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822826.2
申请日：2003-09-12
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70525 , G03F7/70616 , G03F7/70858 , H01L22/20
摘要： 本发明提供可促进制程执行的系统和方法。集合关键参数的值作为品质矩阵，该品质矩阵根据参数对于一个或多个设计目标的重要性而加权各个参数。通过根据诸如产品设计、仿真、测试结果、产率数据、电气数据等信息的系数来加权各关键参数。本发明然后能够开发品质指标，该品质指标为当前制程的综合“分数”。然后控制系统能够将品质指标与设计规格相比较，以便判定是否可接受当前制程。若该制程为不可接受，则可修正测试参数以用于进行中的制程，该制程能够再运作和再实施完成的制程。如此，根据产品设计和产率，组件的各个层能对于不同的规格和品质指标而定制。
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公开(公告)号：CN1682123A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822361.9
申请日：2003-09-10
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G01R31/316
CPC分类号： G01R31/2877 , G01R31/2856 , G01R31/2879
摘要： 根据一示范具体实施例，一种在导体的焦耳热与导体的电流密度之间建立关系的方法，系经由进行晶圆层次测量所实施(500)。根据本示范具体实施例，进行晶圆层次测量，以达到导体里的电阻的温度系数(118，502)。该方法同样包括决定该导体的热电阻(510)。该热电阻随后用来建立该导体的焦耳热与该导体的该电流密度之间的关系(512)。如此得到的关系随后则用来决定设计规则、平均失败时间与其它信息，以助于可靠半导体装置的设计(514)。根据另一示范具体实施例，晶圆层次测量系统(100)则使用来建立起一导体的焦耳热与该导体的电流密度之间的关系。
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公开(公告)号：CN1679155A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819926.2
申请日：2003-07-09
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20
摘要： 一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置(200)的电气参数的方法。提供与该半导体装置(200)相关的初始特性值的向量(124)，用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)。根据该更新向量(124，126)模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性。一种包括数据存储器(90)以及预测单元(130)的系统(10)。数据存储器(90)配置用来储存在半导体装置(200)的制造期间所收集的半导体装置(200)的特性。预测单元(130)配置用来提供关于半导体装置(200)的初始特性值的向量(124)、以收集的特性的至少一个子集更新向量(124，126)，以及根据更新向量(124，126)模型化半导体装置(200)的至少一电气特性。
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