公开(公告)号：CN119580643A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411405253.7

申请日：2024-10-10

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  邹振游 ,  翁书臣 ,  林怡彬 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  郭太良

IPC: G09G3/3225 ,  H10K59/12

Abstract: 本发明公开了一种基于灰阶值变化栅极调控的叠层结构发光器件，包括：多个发光单元，发光单元依次包括第一电极、发光功能层、第二电极；发光单元的第一电极和/或第二电极侧设置栅极绝缘层，栅极绝缘层上设置栅极调控电极；发光单元的第二电极接地，发光单元的第一电极与薄膜晶体管开关的漏极相连接，薄膜晶体管开关的源极连接数据引线，薄膜晶体管开关的栅极连接扫描引线，薄膜晶体管开关的漏极还与放大场效应晶体管的栅极相连接，放大场效应晶体管的源极与调控电压源相连接，调控电压源用于向放大场效应晶体管的源极提供需求的电压，放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接。本发明可以在根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整，节约能源。

公开(公告)号：CN114334640B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202111522470.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  杜佳怡 ,  严群 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  林畅 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提出一种硅片键合后去衬底的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤；步骤A、选取晶向为(111)的硅片M和选取晶向为(100)的硅片N，对硅片进行清洗；步骤B、对硅片M和硅片N进行高温键合，形成组合硅片；步骤C、对组合硅片的硅片N的非键合面以高分子聚合物进行密封保护；步骤D、对组合硅片的硅片M一面进行碱法刻蚀，使该面粗化；步骤E、将粗化处理后的组合硅片放入碱性溶液，油浴恒温至所需温度进行加热刻蚀；步骤F、将完成蚀刻的硅片用去离子水超声清洗，然后用氮气进行吹干，并在热板上进行干燥；本发明有助于解决Micro‑LED显示技术中巨量转移难题中的去衬底部分，能简化操作步骤，降低工艺成本。

公开(公告)号：CN118867086A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411333248.X

申请日：2024-09-24

Applicant: 闽都创新实验室 ,  福州大学

Inventor： 林畅 ,  郭华昌 ,  黄忠航 ,  杨天溪 ,  张恺馨 ,  孙捷 ,  严群 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。

公开(公告)号：CN118112398A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410238843.9

申请日：2024-03-04

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 陈荣 ,  吴朝兴 ,  乐健避 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  郭太良

IPC: G01R31/302 ,  G01R31/28 ,  G01R1/04 ,  G01R1/073

Abstract: 本发明公开了一种电磁场驱动晶圆级LED芯片的无接触检测装置及方法，无接触检测装置包括：检测基板；检测基板上方设置有探头基板，探头基板上设置有磁探头阵列，磁探头阵列包括多个磁探头，磁探头分别与行电极和列电极进行电连接，行电极和行信号控制器进行连接，列电极和列信号控制器进行连接，行信号控制器和列信号控制器均连接至供电模块，磁探头通入电信号产生高频交变磁场使待检测晶圆级LED芯片内部的载流子形成定向输运和辐射复合产生电致发光；无接触检测装置还包括光信号检测模块，光信号检测模块用于检测待检测晶圆级LED芯片的发光信息。本发明提高了LED芯片的检测速度和检测精准度，避免了LED芯片检测损伤。

公开(公告)号：CN114779471B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202210291576.2

申请日：2022-03-24

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 吴朝兴 ,  李俊龙 ,  周雄图 ,  张永爱 ,  郭太良 ,  陈荣 ,  王堃 ,  李文豪

IPC: G02B27/01 ,  A61B5/145 ,  A61B5/00 ,  A61B3/113

Abstract: 本发明提出基于纳米像元阵列的眼机接口及其工作方法，主要包括：柔性镜片、设置于柔性镜片上的纳米像元阵列、设置于纳米像元阵列上的可变焦距透镜模块。其中，纳米像元阵列具有三种功能：作为显示器件将图像直接投影到视网膜，作为图像传感器用于外界图像采集，作为近场显微镜头可以用于生物大分子的检测；可变焦距透镜模块既可以用于人眼视力的辅助调节，又可以作为用于外界图像捕捉的光学透镜。

公开(公告)号：CN117835769A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410050005.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 闽都创新实验室 ,  晋江市博感电子科技有限公司

Inventor： 张恺馨 ,  李琪伟 ,  严群 ,  孙捷 ,  黄春雷 ,  林畅 ,  杨天溪 ,  黄忠航 ,  张永爱 ,  郭太良

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/13 ,  H10K50/10 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及一种利用全喷墨印刷制备高密度全彩QLED器件的方法。该方法使用喷墨印刷技术在透明衬底上印刷功能层材料以制造电致QLED器件，QLED器件由透明基板/ITO/空穴注入层（Hole injection layer,HIL）/空穴传输层(Hole transport layer，HTL)/量子点（Quantum dots，QDs）/电子传输层（Electron transport layer，ETL）/金属电极组成，各个印刷薄膜直接图案化，其中每种功能层材料墨水均为定制，定制的墨水在特定的衬底上能够实现依次稳定成膜，印刷薄膜厚度均匀，无咖啡环，进而来制造一种全喷墨印刷的电致QLED。本发明方法制备的QLED器件具有工艺简单、生产成本低、器件亮度和外量子效率较高，可用于商业化QLED显示器件制造、Micro‑LED全彩化显示、传感器制造以及医疗生物和防伪技术等领域。

公开(公告)号：CN117369120A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311109587.5

申请日：2023-08-31

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  彭玉颜 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  郭太良 ,  邹振游

IPC: G02B27/00 ,  G02B3/10 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明涉及一种焦点能量可控的多焦距超透镜的设计方法。该方法，设计基本超原子：确定超透镜相位划分的等级个数及其对应基本超原子的参数；设计多焦距超透镜的相位分布：根据超透镜相位分布公式与所设计的多焦距超透镜的焦距数、焦距大小、超原子阵列大小、多焦距的能量比例，设计多焦距超透镜的相位分布；排布基本超原子：根据多焦点超透镜相位分布排布基本超原子设计多焦点超透镜。本发明只需要根据所设计的焦点能量比例交替获取对应焦点的相位信息，再利用环形算法排布获得的相位信息即可获得多焦距超透镜的相位分布，而后排布基本超原子即可设计出多焦距超透镜，同时通过控制焦点能量比例即可实现对不同焦距的焦点的聚焦能力的控制。

公开(公告)号：CN112947009B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202110106838.9

申请日：2021-01-27

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  温建泓 ,  张永爱 ,  郭太良 ,  吴朝兴 ,  林志贤 ,  林坚普

IPC: G03F7/20 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。

公开(公告)号：CN115980497A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310104088.0

申请日：2023-02-13

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 吴朝兴 ,  王朋朋 ,  郭太良 ,  陈荣 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  苏昊 ,  谢彪

IPC: G01R31/00 ,  G01R19/00 ,  G01R15/18 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明涉及一种电力线高压检测装置，可实现三相高压电检测的装置，包括绝缘子，设置于所述绝缘子内部的安置在不同方位的多个半导体发光芯片，设置于所述绝缘子两端的连接金具，以及设置于所述绝缘子内部的多股光纤。所述半导体发光芯片设置在固定高压输电线的连接金具附近，所述光纤用来传输各个半导体发光芯片发出的光信号，该发光波形反映出所探测的高压电，所述绝缘子用来提供爬电距离并为所述连接金具提供放置空间。通过处理多条光纤传输的发光波形信息，得到三相电每条高压线的电压值信息，实时监测每条高压线。本发明结构紧凑，易于使用、安装、维护，并且响应频带宽，电气绝缘性能优良，制造成本相对较低，具有一定的市场竞争力。

公开(公告)号：CN113437189B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110596386.7

申请日：2021-05-30

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 周雄图 ,  陈晶晶 ,  郭太良 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  林志贤 ,  叶芸

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构，以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。