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公开(公告)号：CN111180528A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010092906.6
申请日：2020-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N-低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN108063158A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711276852.3
申请日：2017-12-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有槽型氧化层和横向超结的LDMOS器件，属于半导体功率器件领域。本发明器件包含从左至右设置的源极、栅极、N‑漂移区、槽型SiO2埋层、漏极。漏极包括上下设置的N+漏极和缓冲层，漂移区包括上下设置的槽型SiO2埋层和横向超结P柱和N柱。本发明LDMOS器件在反向击穿时，槽型SiO2埋层和横向超结PN柱调节漂移区中电荷的分布，提高了器件漂移区的表面电场和体内电场，使得器件击穿电压BV大大提高。另一方面在正向导通时，横向超结的N柱提供了一个电子通道，使得电子电流的路径大大减小，从而降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119742382A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411925001.7
申请日：2024-12-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛/高熵合金微纳结构电池光热正极的制备方法和应用，涉及太阳能光热转换和光催化技术领域，光热转换薄膜的制备方法包括以下步骤：在基底上制备晶种层；通过调节水热生长温度和水热生长后的退火温度，制备不同形貌的二氧化钛纳米线阵列结构；在二氧化钛纳米线阵列结构表面制备高熵合金，形成二氧化钛/高熵合金微纳结构的光热转换薄膜。该光热转换薄膜结合了金属等离子体光热效应和半导体三维纳米结构的光陷效应，能够在全光谱范围内实现高效光吸收与全方位光热转换。作为正极材料，提升了电池的能量密度和循环稳定性，并拓宽了其工作温区，不仅适用于Li‑CO2电池，还能在二氧化碳还原领域发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN119414525A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411644152.5
申请日：2024-11-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种超高品质因子微环谐振器耦合结构，属于光电子集成技术领域。该微环谐振器耦合结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、第一二氧化硅包层、微环、第二二氧化硅包层、直波导和第三二氧化硅包层。该耦合结构中光传输时在微环的上表面和直波导的下表面发生耦合，生长和化学机械抛光将最大程度降低表面的粗糙度，克服了传统同一平面耦合方案中光传输时在微环与直波导的双侧壁耦合，降低了受到刻蚀造成的较大粗糙度带来的额外损耗和反射。本发明可精准控制耦合间距，降低耦合结构的额外损耗和反射，有效提升微环谐振器的品质因子，为高精细滤波和高精度传感光子集成芯片提供关键解决方案。
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公开(公告)号：CN118866941A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411099136.2
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个门型栅结构，其中门型栅结构位于栅极下方，势垒层上方，由P‑GaN层和n掺杂AlGaN层组成。本发明通过在P‑GaN层内嵌入n掺杂AlGaN层，引入补偿电子与单粒子入射后在栅极和源极下方聚集的大量空穴进行充分复合，从而有效抑制电子由源极注入到沟道，提高了器件的单粒子烧毁电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834449B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010731321.4
申请日：2020-07-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种具有背面双MOS结构的快速关断RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、集电极接触区4、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16、集电极氧化层17、场截止环接触区18、场截止环19、集电极P‑base20。本发明在保证消除正向导通时的负阻效应的前提下，具有相对较快的关断速度和较低的Von、良好的反向导通性能及600V以上的耐压能力，提高了器件的工作稳定性和电流能力。
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公开(公告)号：CN117644319A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311663030.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: B23K35/40 , B23K1/00 , B23K1/20 , B23K101/36
Abstract: 本发明涉及易烧结且耐氧化的纳米铜焊膏的制备方法及其产品和应用，属于电力电子器件封装领域。本发明的制备方法制备的纳米铜焊膏包括至少两种抗氧化成分(钝化保护层和还原性有机溶剂)，另外还同时含有纳米级的铜颗粒和亚微米级的铜颗粒，因此在用于连接芯片和基板时，首先利用钝化层减少纳米铜在储存和升温过程中的氧化，其次利用还原性有机溶剂减少纳米铜在高温烧结过程中的氧化，最后还将通过纳米铜和少量亚微米铜混合的方式，提高纳米铜焊膏的烧结致密度。本发明制备的纳米铜焊膏具有高烧结致密度和高耐氧化性能，可在常规的低温低压、空气条件下连接芯片和基板，实现高强度、高可靠性连接。
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公开(公告)号：CN113782592B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111061265.9
申请日：2021-09-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种衬底集成反并联续流二极管的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件包括由P+发射极、N+电子发射极、P‑body、N型漂移区、缓冲层和P型集电极形成的IGBT导电区域；由P+发射极、P型衬底和N型集电极形成的PIN续流二极管导电区域。正向导通时，IGBT导电区域工作，无负阻效应且导通压降低；反向导通时，PIN续流二极管导电区域工作，提供空穴电流路径实现二极管的集成。本发明消除了传统RC‑LIGBT的负阻Snapback效应，同时能够大大降低关断损耗。
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公开(公告)号：CN111180528B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202010092906.6
申请日：2020-02-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN110571264B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910877635.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种具有多通道电流栓的SA‑LIGBT器件，属于功率半导体器件领域。本发明的多通道电流栓的SA‑LIGBT器件主要是在器件的集电极区域设置n个横向P柱，形成多个电子通道，构成电流栓结构，具有以下作用：(1)正向导通时，电流栓相对于对电子电流呈关闭状态，使得晶体管的集电极短路电阻增大，从而完全消除传统SA‑LIGBT的snapback效应；(2)正向导通时降低压降Von；(3)关断时，P柱之间形成的三条电子通道可有效提高电子的抽取效率，减少关断时间。
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