公开(公告)号：CN112152587A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010561198.6

申请日：2020-06-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 丹野雅行 ,  秋山昌次

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08 ,  H03H9/64

Abstract: 提供了具有改善的特性的用于表面声波器件的复合基板。根据本发明的用于表面声波器件的复合基板被配置为包括压电单晶基板和支撑基板。在压电单晶基板与支撑基板之间设置中间层，该中间层中的化学吸附水的量为1×1020个分子/cm3以下。在压电单晶基板和支撑基板之间的结合界面处，压电单晶基板和支撑基板中的至少一者可以具有不平坦结构。优选的是，当用作表面声波器件时，不平坦结构的截面曲线中的元件的平均长度RSm与表面声波的波长λ的比率为0.2以上且7.0以下。

公开(公告)号：CN107636801A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680031978.1

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

CPC classification number: H01L41/312 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说，是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN107615448A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680032041.6

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

CPC classification number: H01L41/335 ,  B32B18/00 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0036 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/00 ,  C23C14/48 ,  C23C14/5833 ,  C30B29/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02559

Abstract: 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN107108218A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070163.X

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: C01B32/15 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  C01B32/05 ,  C01B32/184 ,  C01B32/956 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供复合基板，其具有：厚度1μm以下的单晶碳化硅薄膜11；支承该单晶碳化硅薄膜11的由耐热温度1100℃以上的耐热材料(其中，不包括单晶碳化硅)制成的操作基板12；和在上述单晶碳化硅薄膜11与操作基板12之间设置的、由选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆、硅和碳化硅中的至少1种的材料、或者选自Ti、Au、Ag、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Zr、Mo、Ta和W中的至少1种的金属材料制成的厚度为1μm以下的中介层13。本发明的复合基板可以廉价地制作缺陷少的纳米碳膜。

公开(公告)号：CN103828021B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280045025.2

申请日：2012-09-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2011 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种制造复合晶片的方法，其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片，并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤：将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片，所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和，并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层；在200℃至400℃加热所述键合晶片；以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜，以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。

公开(公告)号：CN105190835A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104793460A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510028801.3

申请日：2015-01-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 山田素行 ,  秋山昌次

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/142 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。

公开(公告)号：CN104488081A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。

公开(公告)号：CN104040686A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005209.0

申请日：2013-01-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。

公开(公告)号：CN101290872B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。