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公开(公告)号：CN118398745A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410784256.X
申请日：2024-06-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。
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公开(公告)号：CN118367448A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410467438.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于低维半导体材料微纳光电集成领域，具体公开了一种基于CsPbBr3纳米片的上转换等离激元激光器及其制备和应用，本发明所述的上转换等离激元激光器，包括云母基底、沉积在云母基底上的CsPbBr3纳米片、包覆CsPbBr3纳米片的绝缘层，以及包覆绝缘层的Au金属膜。本发明所述的激光器，其能在双光子泵浦下CsPbBr3纳米片界面局域激子与表面等离激元耦合，大幅降低激光器的阈值，同时保持较高的品质因子。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来微纳半导体材料的基础研究和非线性光源在光子集成电路中的应用具有极大的指导意义和参考价值。
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公开(公告)号：CN117691027A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410001814.0
申请日：2024-01-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微半球色转化结构的窄发射角Micro‑LED，该Micro‑LED包括表面排列有凸起的发光器件的蓝光或紫外光Micro‑LED芯片和覆盖在发光器件上的单个或多个微半球体纳米晶，纳米晶为全无机钙钛矿纳米晶包括CsPbBr3纳米晶、CsPbI3纳米晶和CsPbCl3纳米晶，上述纳米晶可将Micro‑LED所发的蓝光或紫外光分别色转化为绿、红、蓝三种不同的颜色，半球体微结构可有效限制侧向出光，减少横向发光串扰，在实现色转换的同时实现出射光线发散角汇聚调制，提高器件垂直方向的出光度，有利于器件的成像清晰度、亮度及发光品质。本发明还提供了一种基于微半球色转化结构的窄发射角Micro‑LED的制备方法，该方法能够制备具有尺寸可调控、周期结构可设计和集成度高的钙钛矿微半球色转化阵列的窄发射角Micro‑LED。
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公开(公告)号：CN116825878B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311110105.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种面外p‑n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用。所述二维体光伏材料由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层，BP层、MoS2层、封装层和电极层；所述Si层、SiO2层，BP层和MoS2层组成光伏层；所述BP层和MoS2层的扶手椅晶向平行。该二维体光伏材料基于各材料层的协同作用，利用BP层和MoS2层之间特殊的沉积角度，产生体光伏效应，进而产生位移电流，突破肖特利‑奎伊瑟光电转换极限，基于所提供的二维体光伏材料所制备的光电探测器，有效的将面外的光伏效应与面内的体光伏效应相结合，产生了多维度电极化，具有高偏振度
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公开(公告)号：CN113659432B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110914547.2
申请日：2021-08-10
Applicant: 湖南大学
IPC: H01S5/125 , H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/02 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24 , C30B29/34 , C30B25/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种小尺寸面发射近红外激光器及其制备方法。所述激光器包括由底部分布式布拉格反射微腔和顶部分布式布拉格反射微腔构成的分布式布拉格反射微腔；所述底部分布式布拉格反射微腔的顶部为二氧化硅层，该层二氧化硅层布置有单晶铒镱硅酸盐纳米片，底部分布式布拉格反射微腔由厚度为185.5nm的五氧化二钽层和厚度为263.7nm二氧化硅层交替分布9次构成，顶部分布式布拉格反射微腔由厚度为263.7nm二氧化硅层和厚度为185.5nm的五氧化二钽层交替分布8次构成；所述单晶铒镱硅酸盐纳米片也与顶部分布式布拉格反射微腔中的一层二氧化硅层接触。本发明结构设计合理、制备简单可控，便于工业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300501B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202111597150.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN114086151B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111168612.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳尺寸的硅酸铒材料的无源生长制备方法。本发明所述方法中，其整个生长过程中只存在铒源和衬底硅片，没有引入其他的硅源，所述铒源为含铒的盐。其得到的纳米材料为硅酸铒纳米线和/或硅酸铒纳米片，所得产品均具有良好的光学性质。本发明生长硅酸盐材料简单可控，节省源材料，便于大规模生产和应用。
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公开(公告)号：CN114725149A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210202459.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED显示矩阵制备方法，包括：获取半导体材料层；半导体材料层用于形成micro‑LED阵列，包括依次设置的第一类型半导体、第二类型半导体以及第一衬底；在半导体材料层制备与第一类型半导体接触的第一电极；将制备完第一电极的半导体材料层进行第二电极制备预处理，以使第二类型半导体无衬底覆盖；在半导体材料层制备与第二类型半导体接触的第二电极，得到micro‑LED显示矩阵；其中，第一电极用于连接micro‑LED阵列中同一行/列的micro‑LED单元，第二电极用于连接micro‑LED阵列中同一列/行的micro‑LED单元；避免了现有单片集成方案需要将金属触点对准键合的难点，改变了巨量转移方案带来的芯片间距空隙过大和TFT背板的电流耐受问题，显著提升中型显示屏的亮度。
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公开(公告)号：CN114300501A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111597150.1
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN114086151A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111168612.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳尺寸的硅酸铒材料的无源生长制备方法。本发明所述方法中，其整个生长过程中只存在铒源和衬底硅片，没有引入其他的硅源，所述铒源为含铒的盐。其得到的纳米材料为硅酸铒纳米线和/或硅酸铒纳米片，所得产品均具有良好的光学性质。本发明生长硅酸盐材料简单可控，节省源材料，便于大规模生产和应用。
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