公开(公告)号：CN120018668A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510186511.5

申请日：2025-02-20

Applicant: 湖南大学 ,  北京数字光芯集成电路设计有限公司

Inventor： 潘安练 ,  王一喆 ,  李东 ,  孙雷

IPC: H10H29/14 ,  H10D30/67 ,  H10H20/857 ,  H10H29/01 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro‑LED及其制备方法，本发明的制备方法，一方面，通过光刻定义互连和源漏电极区后沉积简并态厚层氧化铟锡，将MOS结构源级与micro‑LED单元高台面的P电极互联实现串联。最终，通过栅极来控制发光单元的开关，实现原位驱动，由于工艺上的兼容性因此省去了传统的键合过程，大大简化制备流程降低生产成本，另一方面，采用控制厚度的方法制备出薄层的非简并态氧化铟锡半导体沟道和厚层的简并态氧化铟锡接触电极，实现低接触电阻的高电流MOS驱动单元。

公开(公告)号：CN114300501B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202111597150.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  王一喆

IPC: H01L27/15 ,  G09G3/32

Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN114300501A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111597150.1

申请日：2021-12-24

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  李晟曼 ,  王一喆

IPC: H01L27/15 ,  G09G3/32

Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件，该方法包括：获取位于衬底的micro‑LED阵列；在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀，在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层；对顶栅介质层进行互连和源漏电极区开窗，在开窗得到的互连和源漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连；在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极，得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元，实现了micro‑LED器件的原位驱动功能，相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线，大大简化了工艺流程，降低了制作成本。