公开(公告)号：CN116825878B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311110105.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王笑 ,  曾周晓松 ,  潘安练

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种面外p‑n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用。所述二维体光伏材料由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层，BP层、MoS2层、封装层和电极层；所述Si层、SiO2层，BP层和MoS2层组成光伏层；所述BP层和MoS2层的扶手椅晶向平行。该二维体光伏材料基于各材料层的协同作用，利用BP层和MoS2层之间特殊的沉积角度，产生体光伏效应，进而产生位移电流，突破肖特利‑奎伊瑟光电转换极限，基于所提供的二维体光伏材料所制备的光电探测器，有效的将面外的光伏效应与面内的体光伏效应相结合，产生了多维度电极化，具有高偏振度

公开(公告)号：CN117727827B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410173709.5

申请日：2024-02-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王笑 ,  王雨凡 ,  曾周晓松

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提供了一种多功能二维滑移铁电复合元件及其制备方法和应用。该复合元件由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层、底层导电层、铁电介质层和顶层导电层；所述铁电介质层为偶数层ε‑InSe，其厚度为6.4~52.8nm。该复合元件通过沉积法和干法转移逐层制备，最大程度保留材料本征的性质，实现了对各层材料厚度及层数的精准控制。该复合元件以偶数层ε‑InSe为铁电介质层，无需外加偏压仅利用面外自发极化加速光生载流子的分离；此外，利用ε‑InSe中可切换的自发极化调节肖特基势垒高度形成多种非易失性电阻状态，进而同时赋予了该复合元件的近红外光电特性以及铁电存储特性，有效解决目前滑移铁电功能单一的问题。

公开(公告)号：CN117727827A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202410173709.5

申请日：2024-02-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王笑 ,  王雨凡 ,  曾周晓松

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提供了一种多功能二维滑移铁电复合元件及其制备方法和应用。该复合元件由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层、底层导电层、铁电介质层和顶层导电层；所述铁电介质层为偶数层ε‑InSe，其厚度为6.4~52.8nm。该复合元件通过沉积法和干法转移逐层制备，最大程度保留材料本征的性质，实现了对各层材料厚度及层数的精准控制。该复合元件以偶数层ε‑InSe为铁电介质层，无需外加偏压仅利用面外自发极化加速光生载流子的分离；此外，利用ε‑InSe中可切换的自发极化调节肖特基势垒高度形成多种非易失性电阻状态，进而同时赋予了该复合元件的近红外光电特性以及铁电存储特性，有效解决目前滑移铁电功能单一的问题。

公开(公告)号：CN116825878A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202311110105.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 湖南大学

Inventor： 王笑 ,  曾周晓松 ,  潘安练

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种面外p‑n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用。所述二维体光伏材料由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层，BP层、MoS2层、封装层和电极层；所述Si层、SiO2层，BP层和MoS2层组成光伏层；所述BP层和MoS2层的扶手椅晶向平行。该二维体光伏材料基于各材料层的协同作用，利用BP层和MoS2层之间特殊的沉积角度，产生体光伏效应，进而产生位移电流，突破肖特利‑奎伊瑟光电转换极限，基于所提供的二维体光伏材料所制备的光电探测器，有效的将面外的光伏效应与面内的体光伏效应相结合，产生了多维度电极化，具有高偏振度的近红外响应以及超快的响应速度，实现高效光电探测。