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公开(公告)号：CN117740882A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311748682.X
申请日：2023-12-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片检测方法。针对重掺杂n型碳化硅晶片在熔融的强碱中加入适量的氧化剂形成腐蚀剂，利用恒定电压源给碳化硅晶片施加正的偏置电压。一方面，通过在强碱中加入氧化剂，提高腐蚀剂中的氧含量，进而促进氧化过程，即促进重掺杂n型碳化硅晶片各向异性的化学腐蚀过程；另一方面，在对所述重掺杂n型碳化硅晶片施加正电压，抑制所述重掺杂n型碳化硅晶片表面各向同性的电化学腐蚀过程。氧化剂和偏置电压的结合对位错特征显示效果显著，可以清晰区分所述重掺杂n型碳化硅晶片的不同位错类型。
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公开(公告)号：CN117637452A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311671186.9
申请日：2023-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半绝缘碳化硅晶圆片的制备方法、晶圆片及器件，利用高能量射线或高质量粒子辐照所述碳化硅晶圆片表面，在所述碳化硅晶圆片中产生深能级缺陷，且在所述碳化硅晶圆片中靠近入射面的位置形成缺陷峰值，并增加所述深能级缺陷为陷阱中心的数量、减少所述深能级缺陷为复合中心的数量，从而得到高质量的半绝缘碳化硅晶圆片。
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公开(公告)号：CN117637449A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311707172.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/04 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半绝缘碳化硅衬底制备方法及碳化硅衬底。在待加工碳化硅衬底表面以高能量进行氧注入，形成氧沉淀。注入的氧都集中在待加工碳化硅衬底近表面处，使得高温退火处理形成的氧沉淀也都集中在待加工碳化硅衬底的近表面处，避免了现有技术的掺杂工艺中，在碳化硅衬底内产生沉淀物，导致碳化硅衬底中的微管缺陷；以高能量进行氧注入，提升了待加工碳化硅衬底近表面处氧沉淀的浓度，从而提升氧沉淀吸收待加工碳化硅衬底中的杂质的效果，被吸收了杂质的待加工碳化硅衬底成为高纯的本征半绝缘碳化硅衬底，提升获得的沉淀碳化硅衬底的绝缘性，提升获得的沉淀碳化硅衬底的电阻率。
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公开(公告)号：CN117607499A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311568427.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体晶圆测试技术领域，公开了一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，通过颗粒去除模块去除真空吸口处的颗粒；通过静电消除模块对晶圆表面进行消除静电处理；再通过粗糙度检测模块检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。使得大大提高了晶圆表面粗糙度检测的精确度。
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公开(公告)号：CN116177550B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310222488.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米材料的表面钝化方法及用途，属于纳米材料技术领域，具体的，方法包括以下步骤：(1)对无支撑的硅纳米材料施加主动氧化程序，使其表面形成致密氧化层；再利用高浓度氢氟酸完全刻蚀掉表面氧化层，得到氢封端的硅纳米材料；(2)隔绝水氧条件下，利用烯烃与氢封端的硅纳米材料进行硅烷化反应，得到的粗产物进一步清洗纯化后，得到表面碳链封端的硅纳米材料。本发明方法较传统方法增加了前置的主动氧化程序，在硅纳米材料表面构建致密的氧化薄层，能够制备得到具有更高碳链覆盖率，更低表面悬挂键数量，同时荧光量子产率可以达到60％的硅纳米材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117568920A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311516809.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种自动化补料装置、晶体生长装置及晶体生长方法。自动化补料装置在碳化硅晶体生长过程中通过液面高度检测控制结构检测石墨坩埚内的碳化硅溶液液面高度，根据碳化硅溶液液面高度相对于设定液面生长高度，通过自动化补料结构向石墨坩埚中添加或者停止添加硅原料，从而在不打开坩埚的条件下，维持碳化硅溶液体系的一致性，保证了碳化硅晶体生长条件的稳定，实现碳化硅晶体的稳定生长。同时，通过液面高度检测控制结构的触点高度和籽晶轴高度的控制，控制碳化硅溶液液面高度使得碳化硅溶液液面与碳化硅晶体接触处的弯月面高度保持于一定范围内，避免弯月面的高度变化对碳化硅晶体生长产生影响。
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公开(公告)号：CN114078692B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210013373.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗，然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态，使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面，实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质，将其引入晶圆清洗流程，替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物，突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
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公开(公告)号：CN117558750A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311262394.3
申请日：2023-09-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种适用于任意掺杂浓度的p型4H‑SiC的SiC/Al/Ti欧姆接触电极，包括依次沉积于p型4H‑SiC基底上的第一电极层、第二电极层，所述第一电极层材料为金属Al，所述第二电极层材料为金属Ti，所述第一电极层厚度与所述第一、第二电极层总厚度的比值为38％(±0.5％)～72％(±0.5％)；进一步的，所述SiC/Al/Ti欧姆接触电极还包括沉积于所述第二电极层之上的第三电极层，所述第三电极层的材料选自金属Ni、Au、W或Mo中的任意一种或多种。本发明的p型4H‑SiC欧姆接触电极具有与现有工艺水平相当甚至更好的比接触电阻率，可以适用于所有p型4H‑SiC的电子器件。
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公开(公告)号：CN117542727A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311711519.6
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种碳化硅栅极氧化层的制备方法及半导体结构。利用含NH3气体预先处理所述碳化硅衬底的缺陷，一方面，提前消除所述碳化硅衬底表面的硅悬挂键，降低所述碳化硅衬底表面的硅原子活性，从而有效抑制在后续制备栅氧层过程中，硅悬挂键与碳、氧元素形成浅能级缺陷；另一方面，有效抑制和钝化所述碳化硅衬底近表面的碳原子或碳团簇缺陷，弥补了后续N2O钝化时，由于氧化层阻隔达不到碳相关缺陷的位置，使得氮钝化所述碳化硅衬底更彻底，从而有效地降低所述碳化硅衬底的浅能级缺陷，大幅度提高碳化硅功率器件的性能。
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公开(公告)号：CN117476440A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311707000.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种碳化硅界面钝化方法及碳化硅衬底。本发明将碳化硅/二氧化硅衬底置于氢源氛围中，利用激光照射并退火，使得碳化硅/二氧化硅衬底界面间的缺陷被钝化，由于激光的光照强度大、波长可调，有利于H0转化成H+、H‑，且激光透射的深度位于碳化硅/二氧化硅衬底的界面处，更有利于界面缺陷钝化的发生，有由于激光的光子能量更高，更有利于克服碳‑氢成键的能量势垒。而且，氢元素的体积非常小，更容易进入碳化硅/二氧化硅材料的缝隙中，使得碳化硅/二氧化硅衬底中碳化硅表面及近表面的碳悬挂键被钝化，有利于碳化硅的表面钝化，从而获得更高质量高质量的碳化硅/二氧化硅衬底。
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