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公开(公告)号：CN118776698A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410988160.5
申请日：2024-07-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种基于气泡流的歧管微通道散热器温度测试方法：在歧管微通道芯片加热实验中，当温度达到冷却介质的沸点时歧管微通道出现气泡形成气泡流。气泡的体积随着歧管微通道内温度的变化而变化；结合显微镜和高速相机拍摄通道内不同位置气泡图像，计算气泡体积相对变化，基于气体状态方程，计算出微通道不同位置由于气泡的产生而出现的热阻，再根据芯片的热功耗算得歧管微通道温度。本发明测量方便、精度高、对歧管微通道结构无破坏。
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公开(公告)号：CN118317524A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410425014.1
申请日：2024-04-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于液态金属电子封装应用领域，具体涉及一种基于液态金属的机电解耦芯片封装方法。该方法采用集成电路封装板、紧固螺栓、PDMS弹性液态金属容纳体、附有银涂层的氮铝氧化物(AMB)基片、液态金属相变体和PCB基板对芯片进行封装。通过PDMS弹性容纳体和紧固螺栓实现机械连接，所述PDMS弹性液态金属容纳体的材料具有耐高温、耐腐蚀的特点，并且外表透明，使得工作人员可以观察到内部所述液态金属相变体的状态和位置。同时利用液态金属相变体“低温装配、高温服役”的特性，作为电气联接介质，实现了机电解耦。采用该方法封装的芯片封装体具有良好的机械稳定性和电气联接可靠性，适用于复杂环境下的应用需求。
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公开(公告)号：CN118213286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410303133.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 基于分压器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决目前多数提出的基于时序冲突的MIV测试架构，根据MIV缺陷的类型表现出不同的充电/放电时间来检测故障，容易受到工艺电压温度变化和噪声的影响。因此，本文提出基于分压器的MIV测试体系结构，可降低测试误差同时识别各种MIV缺陷。包括：MOS管选择电路、电阻性开路故障测试单元、针孔故障测试单元、测试使能电路和比较器电路，通过MOS管选择电路选择合适沟道宽长比的MOS管，利用不同沟道宽长比的MOS管具有不同的阈值电阻，提出了基于分压器的单片三维集成电路层间通孔故障检测方法。本发明可有效降低来自不同工艺电压温度和噪声所给测试造成的影响。
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公开(公告)号：CN117724385A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410001330.6
申请日：2024-01-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明的一种太赫兹波收发双臂联动控制系统，包括：太赫兹波发射臂、太赫兹波接收臂、电压电源模块、单片机主控模块、步进电机驱动模块、步进电机执行模块、线磁编码器反馈模块以及末端光栅检测模块。本发明的调控过程不同于传统的使用机械调控太赫兹波收发双臂，而是采用电控制的方法，使用两个步进电机分别控制发射臂和接收臂，采用两个闭环反馈控制实现发射臂与接收臂运动过程的平稳控制、精度控制与误差调节；两个闭环反馈控制分别为转动过程中的角度精度和误差检测反馈、到达指定位置后的定位精度反馈，定位精度闭环反馈基于角度精度闭环反馈完成发射臂和接收臂的位置定位。
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公开(公告)号：CN116736564A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310665037.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种基于石墨烯电极的聚合物三维波导模式光开关，属于集成光电子学技术领域。该模式光开关由衬底、包层、芯层和掩埋在包层中的石墨烯电极构成，芯层被包覆在包导之中，芯层分为下层芯层和上层芯层二部分，下层芯层为Core1单直波导结构，上层芯层为输入端和输出端带有S型弯曲的Core2和Core3双直波导结构，Core2和Core3位于同一平面内；石墨烯电极位于Core2和Core3直波导的上方，与Core2和Core3直波导保持一定的垂直距离。通过设置不同的波导结构尺寸，可以分别实现TE11与TE12，TE11与TE22两对模式之间的复用/解复用；通过石墨烯电极产生的热量改变聚合物材料的折射率，可以实现模式光开关功能。器件功耗低，消光比高，可应用于可重构模分复用光网络中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112241042B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011245672.0
申请日：2020-11-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种低串扰的相交聚合物微纳光纤，其包括相交聚合物微纳光纤、相交角度、分离距离、纤芯、包层、直径，其特征在于所述两根聚合物微纳光纤在三维空间中以一定分离距离和角度相交，所述两根聚合物微纳光纤纤芯材料不相同，存在折射率差，包层材料相同，所述两根聚合物微纳光纤的直径不相同，存在直径差。在三维空间中，相交的聚合物微纳光纤由于倏逝波耦合产生串扰，通过改变相交聚合物微纳光纤间的折射率差和直径差来降低倏逝波耦合的效率，从而极大地降低串扰，同时聚合物微纳光纤具有较高的机械强度及优良的柔韧性和弹性。本发明有利于构筑超紧凑结构复杂的光子学器件和小型化集成光路。在光通信，传感和非线性光学领域具有极好的潜力。
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公开(公告)号：CN116471819A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310644397.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明提出了一种基于多级Y形入口流道结构的并联散热器组的设计，主要涉及一种能够改善并联散热器冷却液流量分布均匀性的入口流道结构设计。传统的T形入口流道会导致流入并联散热器组的冷却液流量不均匀，距离冷却液入口越近，流入散热器的冷却液流量越多，反之则越少。当流入并联散热器的流量分布不均衡时，会导致并联热源组的温度不同，造成热源组之间的温度差异。并联数越多，热源组之间的温差越大，“短板效应”更加明显。本发明对传统的T形入口流道—T形出口流道结构进行了改进，通过把T形入口流道改进为多级Y形入口流道，从而使得流入并联散热器组的冷却液流量更加均匀，解决传统T形入口流道—T形出口流道结构下各并联散热器的冷却液流量分布不均匀的问题，以此抑制“短板效应”的发生。
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公开(公告)号：CN115187500A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110356900.X
申请日：2021-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/12 , G06T7/136 , G06T7/62 , G06T5/00 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习和自适应阈值分割的焊球缺陷检测方法，用于实现对BGA焊球空洞和焊球区域的快速定位与检测，其特征在于，通过深度学习的方法对BGA焊球区域进行精确分割提取，对目标焊球区域制作BGA标签数据集，并进行增强操作增加网络泛化能力，对X‑Ray的BGA原图进行平滑处理，与神经网络对BGA焊球区域分割的结果图进行逻辑与运算提取焊球内部的空洞，对噪声干扰区域进行区域填充运算，将填充后的空洞与神经网络得到的焊球区域轮廓进行边缘提取，计算焊球内部空洞与整个焊球面积占比并判断其合格率，本发明的方法能针对BGA焊球在X‑Ray检测中存在复杂背景干扰的情况，对BGA焊球空洞和焊球区域进行快速定位和检测，该方法具备强大的适应性。
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公开(公告)号：CN115114881A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210721815.3
申请日：2022-06-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/27 , G06N3/04 , G06F115/12
Abstract: 本发明提出一种基于CNN‑LSTM网络结合Attention机制的PBGA器件翘曲预测方法，解决了PBGA器件在焊接过程中的翘曲变形问题。首先确定PBGA器件的结构参数、布局参数，其次通过PBGA器件焊接实验得到再流焊工艺参数、边缘最大翘曲值等数据。然后分别分析结构参数、布局参数和工艺参数与翘曲的关系，接着提出了上述参数与翘曲值的目标函数，最后构建CNN‑LSTM网络以及结合Attention机制的翘曲值预测模型，通过实验验证，预测的翘曲值较为准确，可以对焊接领域提供指导作用。
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公开(公告)号：CN114980700A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210739801.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明一种具有超滑表面的液冷流道散热器制造方法，先加工散热器主体的液冷流道，利用疏水二氧化硅纳米颗粒与聚偏二氟乙烯（PVDF）清漆，甲苯通过高速搅拌制备疏水颗粒溶液；通过在散热器的液冷流道表面涂覆疏水颗粒溶液，加热烘干的方法制备疏水微纳结构；通过在疏水微纳结构中注入与传热介质不互溶的润滑油制备超滑表面；使具有超滑表面的液冷流道具备减阻，耐压，耐腐蚀等功能，实现了液冷流道散热器的综合性能提升。
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