公开(公告)号：CN105601272A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610057795.9

申请日：2016-01-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  屈婧婧 ,  黄先培 ,  刘飞 ,  刘笑 ,  王殿辉 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B35/465 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/74

Abstract: 本发明公开了一种超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷及其制备方法，其化学式为：Mgn+1TinO3n+1，式中，n=2,3,4,5,6,7…50。实现方法为先合成Mgn+1TinO3n+1粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，在1340~1380℃烧结4小时成瓷，即可获得超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷。相对于MgTiO3与Mg2TiO4陶瓷材料，Mgn+1TinO3n+1体系微波陶瓷的介电常数与谐振频率温度系数变化不大，但Q×f值却有极其显著的提高。其中，在1360℃烧结4小时的Mgn+1TinO3n+1(n=5)微波陶瓷能够获最优的微波介电性能：Q×f~382,500GHz(f0=7.534GHz),εr~16.4，τf~-55.3ppm/℃。预计Mg6Ti5O16陶瓷材料可作为应用于各高频领域大型通信设备的微波电路中作为介质基板的主要材料。

公开(公告)号：CN103880415B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN104944944A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。

公开(公告)号：CN104876564A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510244452.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  王子兴 ,  杨涛 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  刘飞 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷及其制备方法，其中：Me为Zr、Ti、Sn、Mn中的一种，Ae为Na、Li、K中的一种，Re为Sm、Nd、Gd、Dy中的一种，0.05≤x≤0.5。先采用传统合成技术合成(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3粉体，然后采用高温高压烧结技术制备(1-x)Li0.45Re0.45Ca0.1TiO3-xBi0.5Ae0.5MeO3高介电微波陶瓷。本发明制备的高介电微波陶瓷，其介电常数（εr）介于75~190，品质因子与谐振频率的乘积（Q.f）介于4000~12000GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于-150~250ppm/℃且可基于成分调节Tcf至近零。

公开(公告)号：CN103708817B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: H01G7/06 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103880415A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410064074.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘飞 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  刘心宇

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷，其组成通式为：Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3，其中：0≤x≤0.1，0.6≤y≤0.7，符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷，即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷，该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr介于150~180，谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃，品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。

公开(公告)号：CN103803966A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102584194B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210032443.X

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  周秀娟 ,  单旭 ,  岑侦勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可在高温450℃以上环境使用的钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)BiMO3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'1/2Me''1/2)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'2/3M'1/3)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3来表示，其中x、y、u、v、s、t表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285793B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110162423.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 成钧 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0