公开(公告)号：CN1275813A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN98116321.1

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法,该方法包括:使非晶硅膜结晶化;在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质,粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层,以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火,以激活已掺入的杂质。按另一方案,可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1267907A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN99124812.0

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1267902A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN99124811.2

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1258102A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99120260.0

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜结构,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFTS由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1118521A

公开(公告)日：1996-03-13

申请号：CN95108329.5

申请日：1995-06-15

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 香西孝真 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8232 ,  G09G3/18 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种液晶显示器件包括：一包括液晶层的显示部分；一对夹持该液晶层的基片；许多位于这对基片之一上的以阵列方式分布的象素电极；许多分别连接到所述那些象素电极的第一薄膜晶体管，及被定位用于驱动所述显示部分的位于第一薄膜晶体管所在的基片上并有第二薄膜晶体管的外部驱动电路；各第一、二薄膜晶体管分别包括由第一、二晶体硅层构成的第一、二沟道层，包括促进结晶用的催化元素的第二晶体硅层比第一晶体硅层的迁移率更高。

公开(公告)号：CN1101167A

公开(公告)日：1995-04-05

申请号：CN94107606.7

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定型硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTS由无定型硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1098554A

公开(公告)日：1995-02-08

申请号：CN94103241.8

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  高山彻 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。

公开(公告)号：CN1094851A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102725.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN103258839A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310079220.3

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  B60R11/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。

公开(公告)号：CN102867736A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210352567.6

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L2221/68368 ,  Y10T428/14

Abstract: 本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。