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公开(公告)号：CN115241045A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN115185395A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210298073.8
申请日：2017-01-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/0488
摘要： 本公开的发明名称是“输入装置、输入/输出装置及数据处理装置”。提供一种方便性或可靠性优异的新颖的输入装置。提供一种方便性或可靠性优异的新颖的输入/输出装置。提供一种半导体装置。本发明人等构想出包括构成为电容性耦合到靠近的物体的多个导电膜、按指定的顺序从多个导电膜选择一个导电膜的驱动电路以及具有供应搜索信号及检测信号的功能的检测电路的结构。
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公开(公告)号：CN114946052A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008362.3
申请日：2021-01-21
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种劣化少的正极活性物质。另外，提供一种劣化少的正极活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的蓄电装置。另外，提供一种安全性高的蓄电装置。另外，提供一种新颖的蓄电装置。本发明的一个方式是一种二次电池，包括正极以及负极，其中，正极包括正极活性物质，正极活性物质具有由层状岩盐型晶体结构表示的结晶，结晶的空间群由R‑3m表示，正极活性物质是包含锂、钴、钛、镁及氧的粒子，粒子的表层部中的镁浓度高于粒子的内部的镁浓度，并且，在正极活性物质中，粒子的表层部中的钛浓度高于粒子的内部的钛浓度。
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公开(公告)号：CN114942551A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210623749.6
申请日：2017-11-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本发明提供显示装置、显示模块及电子设备。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。
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公开(公告)号：CN114930547A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092368.9
申请日：2020-12-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
摘要： 提供一种其特性的不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的包括开口的第二绝缘体、设置在开口的内部且包括第一凹部的第三绝缘体、设置在第一凹部的内部且包括第二凹部的第一氧化物、设置在第二凹部的内部的第二氧化物、与第二氧化物电连接且相隔的第一导电体及第二导电体、在第二氧化物上的第四绝缘体以及包括中间夹着第四绝缘体与第二氧化物重叠的区域的第三导电体，其中第二氧化物在俯视时包括第一区域，第二区域及夹在第一区域与第二区域之间的第三区域，第一导电体包括与第一区域及第二绝缘体重叠的区域，第二导电体包括与第二区域及第二绝缘体重叠的区域，第三导电体包括与第三区域重叠的区域。
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公开(公告)号：CN114864381A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210471884.3
申请日：2017-05-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
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公开(公告)号：CN114730582A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079582.0
申请日：2020-11-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G11C5/02
摘要： 提供一种电路面积小且功耗低的计算机系统。计算机系统包括计算机节点，该计算机节点包括处理器和三维结构的NAND型存储装置。此外，三维结构的NAND型存储装置包括不同块的第一串及第二串。第一串包括第一存储单元，第二串包括第二存储单元。控制器接收第一数据及包含写入第一数据的指令的信号来对第一存储单元写入第一数据。然后，控制器从第一存储单元读出第一数据来对第二存储单元写入第一数据。由此，计算机节点可以具有不设置DRAM等主存储器的结构。
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公开(公告)号：CN108780819B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780016678.0
申请日：2017-02-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/146
摘要： 本发明提供一种新颖的材料。本发明是一种混合有第一区域及多个第二区域的复合氧化物半导体。其中，第一区域至少含有铟、元素M(元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个)及锌，多个第二区域含有铟和锌。由于多个第二区域具有比第一区域更高的铟浓度，所以多个第二区域具有比第一区域更高的导电性。多个第二区域中的一个的端部与多个第二区域中的另一个的端部重叠。多个第二区域被第一区域立体地围绕。
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公开(公告)号：CN108121123B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201711231700.1
申请日：2017-11-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。
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公开(公告)号：CN108389911B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810146247.2
申请日：2012-09-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/423
摘要： 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。
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