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公开(公告)号：CN1755943A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510092081.3
申请日：2005-08-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 前川慎志
IPC: H01L29/78 , H01L27/02 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L51/0022 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L51/102
Abstract: 根据本发明的一个特征，用有机试剂涂覆至少被部分栅极或者布线叠盖的绝缘膜表面的区域；通过液滴排放方法，在绝缘膜表面中的从涂覆了有机试剂并残留的区域到没有涂覆有机试剂的区域的范围内，排放其中导体微粒分散在有机溶剂中的流体。涂覆有机试剂以改善绝缘膜表面中流体的湿润性，以及通过凹入弯曲形成通过在其间插入曲线的彼此相邻的源极和漏极的每端的其中一端，并且通过凸起弯曲形成另一端。
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公开(公告)号：CN1722366A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510075912.6
申请日：2005-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 前川慎志
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , G03F1/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种采用纳米压印方法制造半导体器件的方法，该半导体器件的成本可以降低。在本发明中，在半导体薄膜上依次形成栅绝缘膜、导电膜、和抗蚀剂，并在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂。因此，图形转移到抗蚀剂上，灰化被转移图形的抗蚀剂的表面，直到暴露导电膜的一部分，使用具有灰化的表面的抗蚀剂为掩模，并刻蚀导电膜。
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公开(公告)号：CN1577775A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069690.2
申请日：2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN1577028A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071231.8
申请日：2004-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H05B33/00 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G09G3/20 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/0289 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。
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