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公开(公告)号：CN101931164A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010258196.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101645481A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910140670.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/223 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN101499618A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007988.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01S5/028
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN100508311C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510119342.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100431229C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200610121688.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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公开(公告)号：CN101179178A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710197022.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101013794A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN107532289B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680022950.1
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN108028290A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052868.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
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