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公开(公告)号：CN101195482A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN1919728A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113178.2
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了异径单壁碳纳米管的制备方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将固定有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中并使带有催化剂的一端正对着气流方向；将催化剂在Ar/H2气氛中加热到850℃－1000℃；2)通过Ar载带乙醇进入化学气相沉积系统的炉体生长碳纳米管，生长过程中通过炉体温度改变扰动碳纳米管的生长，在基片上得到所述异径单壁碳纳米管。本发明方法避免了引入模板，掺杂催化剂，热诱导和电场诱导等复杂、耗能的工艺，具有工艺简单、成本低、产率高等优点。
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公开(公告)号：CN1919720A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113196.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00 , H01L21/00 , H01L21/30 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环：1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si－H表面进行扫描探针氧化，得到纳米级氧化物图案；2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应，得到所需多级硅纳米元件。本发明的制备多级硅纳米器件的方法，结合扫描探针显微镜分辨率高、操作灵活的优点和微电子工业中已经相对成熟的化学湿法刻蚀技术(各向异性湿法刻蚀技术)，实现了多级纳米结构的制备加工。该方法分辨率高、可控性强、成本较低、操作简单，为多级纳米器件的加工制备提供了灵活简便的途径，在纳米器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1807222A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510133649.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学 , 国家纳米技术产业化基地
Abstract: 一种应用纳米压印和反应离子刻蚀技术制备纳米悬臂结构的方法，其特征在于它包括以下三个步骤：(1)应用刻蚀技术制备纳米压印模板；(2)应用纳米压印技术复制悬臂图形；(3)应用各向同性反应离子刻蚀技术悬空悬臂结构。本发明的优越性在于：1.通过制备模板，以纳米压印技术实现图形的复制与转移，具有工艺简单、速度快、重复性好、费用低、产率高等优点；2.应用各向同性干法反应离子刻蚀技术悬空悬臂结构，避免了湿法化学腐蚀工艺中悬臂与基底的粘结及溶液对结构的污染现象。
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公开(公告)号：CN1597732A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03157118.2
申请日：2003-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: C08G73/06
Abstract: 本发明公开了一种导电聚吡咯纳米线的制备方法，其目的是提供一种通过表面活性剂辅助化学氧化合成法制备导电聚吡咯纳米线的方法。本发明所提供的导电聚吡咯纳米线的制备方法，包括以下步骤：1)在中性或者酸性水溶液中，依次加入表面活性剂、吡咯单体，使吡咯单体完全溶解在表面活性剂水溶液中；2)将步骤1)中的反应体系的温度调至－20－30℃，加入氧化剂的中性或者酸性水溶液，在－20－30℃条件下反应2－48小时，得到的黑色不溶物即为导电聚吡咯纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119980598A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510121811.5
申请日：2025-01-24
Abstract: 本发明涉及纤维上浆处理技术领域，公开了一种芳纶纤维上浆装置及上浆方法，包括放纱装置、上浆槽、展纱干燥装置和收卷装置，展纱干燥装置包括一次展纱组件、干燥辊和二次展纱组件，展纱组件包括第一振动辊、输送辊和第二振动辊，振动辊垂直于纤维输送方向振动。纤维放卷后经上浆槽上浆，送入展纱干燥装置进行湿法展宽，减少对纤维束的机械损伤，降低毛丝产生。一次展纱时，振动辊高频振动使纤维束在横向摩擦力作用下分散展宽，降低纤维束的挤压机械损伤，减少毛丝形成，且除去多余浆液，利于进行干燥，减少单丝之间的粘连。二次展纱时，无需克服浆液表面张力施加的纤维集束力，在振动辊高频振动下实现纤维束二次展宽，确保单丝分散性好。
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公开(公告)号：CN119710961A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311272441.2
申请日：2023-09-28
Abstract: 本发明公开了一种胺基化氧化石墨烯/杂环芳纶复合纤维及其制备方法。胺基化改性氧化石墨烯选用的原料为杂环芳纶二胺单体便于工业生产，胺基化氧化石墨烯分散液的制备过程中不添加任何助剂(如氯化锂或氯化钙)，且在聚合反应发生前，将胺基化氧化石墨烯分散液加入到聚合反应体系中，改善了复合纤维的拉伸性能、抗压性能和界面性能，并且可提高其在DMSO、DMF、DMAc等有机溶剂中的力学性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119710959A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311271899.6
申请日：2023-09-28
Abstract: 本发明提供了一种芳纶III分子包裹的多壁碳纳米管复合纤维及其制备方法。在聚合液的制备过程中，采用首先添加两种单体(对苯二胺和5(6)‑氨基‑2‑(对氨基苯基)苯并咪唑)并完全溶解后，降温，在聚合反应发生前，加入碳纳米管分散液的添加顺序及添加方式；可以有效避免固态、高粘连度的单体引发的碳纳米管团聚；低温循环和氮气保护下，外接细胞粉碎装置进行二次分散，进一步防止碳纳米管再聚集。获得的复合纤维强度大于37cN/dtex,断裂伸长率大于4％。
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公开(公告)号：CN118390204A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410613356.6
申请日：2024-05-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，具体涉及一种高导热碳纳米管复合纤维、制备方法及应用。通过共价交联以及分子自组装方法，实现聚合物在碳纳米管表面的接枝改性，增强碳纳米管间界面相互作用，从而降低界面热阻，提高复合纤维的热传递效率，实现导热性能的提升，复合纤维具有高拉伸强度，高热导率、密度低的特性；在航空器、高速飞行器、电子产品的热防护材料领域有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117089943A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210524030.7
申请日：2022-05-13
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管增强杂环芳纶纤维及其制备方法，其中单壁碳纳米管通过酰胺键接到杂环芳纶的分子结构中，所述单壁碳纳米管的尺寸在0.1μm‑3μm之间。在本发明中，得到的碳纳米管分散液具有稳定、均一的分散性，在聚合过程中，端口胺基化的单壁碳纳米管通过‑NH2与杂环芳纶单体发生化学反应，形成共聚物。此外，一定尺寸大小的碳纳米管能够有效地填充到杂环芳纶纤维的内部结构缺陷中，使得杂环芳纶高分子之间变得更加致密有序，并且高度结晶、取向，使得该碳纳米管/杂环芳纶复合纤维的强度、模量和断裂伸长率都得到了很大的提高。
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