竖直石墨烯及其生长方法

    公开(公告)号:CN110950329A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911171480.7

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本公开提供一种竖直石墨烯及其生长方法,该竖直石墨烯的生长方法包括:提供一基底,所述基底置于反应腔室;通入碳源并额外引入竖直方向的电场于所述反应腔室,以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场,使石墨烯可以严格沿竖直方向生长,得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。该方法简单、高效,可实现快速生长竖直石墨烯。

    单壁碳纳米管增强杂环芳纶纤维及其制备方法

    公开(公告)号:CN117089943A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202210524030.7

    申请日:2022-05-13

    Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管增强杂环芳纶纤维及其制备方法,其中单壁碳纳米管通过酰胺键接到杂环芳纶的分子结构中,所述单壁碳纳米管的尺寸在0.1μm‑3μm之间。在本发明中,得到的碳纳米管分散液具有稳定、均一的分散性,在聚合过程中,端口胺基化的单壁碳纳米管通过‑NH2与杂环芳纶单体发生化学反应,形成共聚物。此外,一定尺寸大小的碳纳米管能够有效地填充到杂环芳纶纤维的内部结构缺陷中,使得杂环芳纶高分子之间变得更加致密有序,并且高度结晶、取向,使得该碳纳米管/杂环芳纶复合纤维的强度、模量和断裂伸长率都得到了很大的提高。

    竖直石墨烯的生长装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211078480U

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201922062071.5

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 提供一种竖直石墨烯的生长装置,该装置包括反应腔室、支架和上、下电极板,其中反应腔室用于进行气相沉积反应,反应腔室包括进气端和封闭端,封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部;支架包括相对的两个侧板和连接两个侧板的底座,两个侧板上设有承载组件,承载组件包括相对设置的两个承载块;下电极板放置于底座上,上电极板放置于承载组件上,以使上电极板和下电极板之间具有间距,上电极板和下电极板分别连接有导线,导线通过通孔连接电源,以使上电极板和下电极板之间形成竖直方向的电场。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场,使石墨烯可以严格沿竖直方向生长,得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。

    纺丝组件
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220034750U

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202320643953.4

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 本申请提供一种纺丝组件,包括本体、分配体、滤片和喷丝器。本体自上而下具有第一孔、第二孔和第三孔,第一孔、第二孔和第三孔的轴线共线并连通,第一孔、第二孔和第三孔的直径依次减小。分配体设置于第二孔中,分配体具有上端面,上端面是中间低向外周逐渐变高的平滑曲面,分配体的内部设置有上下贯通的多个流道,每个流道包括第一流道段和第二流道段,第一流道段的直径自上而下逐渐减小并向分配体的中心靠拢,第二流道段的直径不变。滤片设置于分配体的上端面上;喷丝器设置于第三孔中。通过以上设计,可避免纺丝过程中碳纳米管的缠结、堵塞等现象。

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