公开(公告)号：CN1919720A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610113196.0

申请日：2006-09-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  张莹莹 ,  刘忠范 ,  罗刚

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环：1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si－H表面进行扫描探针氧化，得到纳米级氧化物图案；2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应，得到所需多级硅纳米元件。本发明的制备多级硅纳米器件的方法，结合扫描探针显微镜分辨率高、操作灵活的优点和微电子工业中已经相对成熟的化学湿法刻蚀技术(各向异性湿法刻蚀技术)，实现了多级纳米结构的制备加工。该方法分辨率高、可控性强、成本较低、操作简单，为多级纳米器件的加工制备提供了灵活简便的途径，在纳米器件领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN100572261C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610113196.0

申请日：2006-09-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  张莹莹 ,  刘忠范 ,  罗刚

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环：1)用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Si-H表面进行扫描探针氧化，得到纳米级氧化物图案；2)将步骤1)得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应，得到所需多级硅纳米元件。本发明的制备多级硅纳米器件的方法，结合扫描探针显微镜分辨率高、操作灵活的优点和微电子工业中已经相对成熟的化学湿法刻蚀技术(各向异性湿法刻蚀技术)，实现了多级纳米结构的制备加工。该方法分辨率高、可控性强、成本较低、操作简单，为多级纳米器件的加工制备提供了灵活简便的途径，在纳米器件领域具有广阔的应用前景。