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公开(公告)号：CN109095435A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810870421.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种三维全金属微腔结构表面等离激元阵列加工方法。其主要步骤包括：衬底材料准备；在所述衬底上沉积金属铝；接着在铝膜上进行光刻形成图形化衬底；然后在已经图形化的衬底上沉积金属，并利用剥离工艺将光刻图形转化为金属图形；最后以图形化金属为掩模，用铝腐蚀液腐蚀铝膜，通过横向钻蚀形成三维腔体结构。上述步骤中，通过对光刻图形的设计、铝膜的厚度以及铝腐蚀液的腐蚀时间来对三维腔体结构的形状、高度、宽度进行调控。本发明所采用的湿法腐蚀工艺，工艺方法简单、稳定并且对材料的腐蚀选择性好，可实现大面积加工，并且可实现近完美吸收的光学特性，这将在光学器件以及生化传感方面有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104167362B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410386689.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107045975A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610081301.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范围内，时间超过氧化到GaN表面所需时间即可，不需精确控制凹槽制备条件并基本消除了等离子体对材料可能带来的损伤，且可以将隔离与欧姆开槽同时制备，从而简化工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。采用本发明方法制备的氮化镓基材料欧姆接触得到了很大的改善，甚至在传统欧姆接触无法形成的较低退火温度下，本发明方法也可以形成较好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106298514A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510275124.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103617947B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310561224.5
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244624A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510574493.4
申请日：2015-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了利用聚焦离子束与MEMS工艺制备0.1THz的加脊喇叭天线的方法，适用于太赫兹通信领域。本发明的结构设计优点如下：1)通过MEMS体硅工艺加工得到喇叭天线，具有微米级尺寸，突破了传统工艺极限；2)该工艺特点为并行加工，将大大降低加工成本；3)通过喷胶和光刻工艺，将正面无需电镀的区域保护住，有效避免了金属对天线性能的干扰；3)通过定位槽的设计，有利于后续测试接口的连接；4)通过聚焦离子束刻蚀在喇叭内壁制作各类加脊结构，可以有效地调整天线性能，扩展其适用性。
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公开(公告)号：CN103268857A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310175267.X
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术，可实现自停止特性，刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑，具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103172017A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310096168.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种超疏水性硅衬底制造方法，其步骤包括：通过传统的微电子工艺对硅衬底进行光刻、刻蚀，加工出微米级别的硅柱阵列；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀硅衬底；将纳米颗粒溶液进行去离子水稀释配比，得到纳米颗粒悬浊液；将亲水化处理过的硅衬底结构浸泡在纳米颗粒悬浊液中，再将纳米颗粒悬浊液放置于蒸发台中，让该纳米颗粒悬浊液在室温下自然蒸发，也可以通过氮气加速蒸发；采用氧等离子刻蚀方法，刻蚀密排在结构表面的纳米颗粒，控制反应时间，得到大小合适的纳米颗粒；采用化学气相淀积方法，淀积本征弱疏水的聚对二甲苯，使得聚对二甲苯完全保型地淀积在硅衬底结构表面从而得到最终的超疏水衬底。本发明采用微米纳米加工工艺制备微米纳米双层分级复合结构，工艺简单，原料普遍，具有良好的周期性。
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公开(公告)号：CN103094360A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210256999.7
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/92 , H01L21/334
Abstract: 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。
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公开(公告)号：CN102915957A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210345336.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。
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