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公开(公告)号：CN101911258A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124228.4
申请日：2008-12-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/338 , H01L21/66 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L22/12 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定GaN衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底；以及分割步骤，其中在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上层压功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。
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公开(公告)号：CN101312165B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101565854A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137022.1
申请日：2009-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种其平均位错密度不超过5×105cm－2且抗断裂的III族氮化物单晶自立式衬底，以及一种利用这类III族氮化物单晶自立式衬底制造半导体装置的方法。所述III族氮化物单晶自立式衬底包括一个以上的高位错密度区域(20h)，以及多个低位错密度区域(20k)，所述低位错密度区域(20k)的位错密度低于所述高位错密度区域(20h)的位错密度，其中所述平均位错密度不超过5×105cm－2。此处，所述高位错密度区域(20h)的位错密度对所述平均位错密度的比值大得足以阻止裂纹在所述衬底中传播。并且所述半导体装置的制造方法利用了所述III族氮化物单晶自立式衬底(20p)。
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公开(公告)号：CN101466878A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680055009.6
申请日：2006-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , C30B35/002 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100466176C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510088295.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/08 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1-xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2-0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1-xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm-1或更小。
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公开(公告)号：CN101370972A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003077.2
申请日：2007-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , C30B23/00 , C30B29/403 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1734719A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088295.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B25/08 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1－xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2－0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1－xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm－1或更小。
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公开(公告)号：CN1591919A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071383.8
申请日：2004-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 藤原伸介
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/883 , C30B23/00 , C30B29/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/16195 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发射效率和温度稳定性优良并能产生特别色温的白光的白光发射装置利用具有优良温度特性和较高光发射效率的磷光体实现；磷光体和制造磷光体的方法也可以获得。LED(1)以及包含至少Cu、Ag和Au中一个的激活剂(活化剂)的磷光体(3)ZnSxSel－x(0＜x＜1)，并受自LED辐射的光激发产生光。
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公开(公告)号：CN301633739S
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201030628777.5
申请日：2010-11-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 1.外观设计产品名称：半导体基板。2.外观设计产品用途：该产品包含上下两层基片，主要用于制作集成电路芯片等电子装置。3.设计要点：在于上层基片上表面的形状、构造、式样及装饰图案。4.基本设计：设计1。5.最能表明设计要点的视图：设计1立体图。6.关于设计1、2和4的后视图与主视图对称，省略设计1、2和4的后视图；设计1、2和4的左视图与右视图对称，省略设计1、2和4的左视图。关于设计3后视图、左视图、右视图与设计3主视图相同，省略设计3后视图、左视图和右视图。
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