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公开(公告)号：CN101698962A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910198255.2
申请日：2009-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。
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公开(公告)号：CN1995973A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610117007.7
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法和使用的传感器，其特征在于利用目标气体对激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对同一激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。所使用的气体传感器的核心是一只具有稳定单模输出和跳模特性半导体激光器和一只光电探测器，适合于不同的气体光路，电路部分构成较简单，易于一体化、小型化和集成化。本发明所述的测量方法及使用的传感器是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN1945284A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117006.2
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器，易于一体化、小型化和集成化；是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，通用性强。
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公开(公告)号：CN1734912A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510027803.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于短脉冲大电流激光器驱动的一体化电源，由脉冲发生器、脉冲电平转换器、脉冲驱动输出单元、低频直流控制单元以及电流监测输出端和触发电压输出端、激光器波长调谐的低频直流偏置输入端和偏置监控输出端构成。脉冲重复频率10－100KHz，脉冲宽度范围100ns－1μs，且分别独立可调。驱动脉冲电压幅度可在一伏至数十伏范围内设定，电流达数安培乃至数十安培，驱动脉冲电流的占空比调节范围可超过二个数量级，具有高的稳定度，不仅可通过低频或直流偏置对半导体激光器的激射波长进行调谐，而且可用示波器实时测量激光器驱动电流脉冲的波型和幅度，由触发脉冲进行同步。是一种普适的半导体激光器脉冲电源，通用性强。
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公开(公告)号：CN1731637A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510029274.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400－2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400－2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III－V族化合物半导体材料与器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1731636A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510028755.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在1018cm－3高施主掺杂InP衬底上外延生长1－5×1017cm－3电子浓度的InP缓冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1－5×1017cm－3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8－3×1017cm－3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。
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公开(公告)号：CN105609582A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510867591.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/03042 , H01L31/035209 , H01L31/184
Abstract: 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105449017A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510947270.8
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0248 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/0248 , H01L31/035236
Abstract: 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53
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公开(公告)号：CN103078009B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
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公开(公告)号：CN104073876A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410246865.6
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明涉及一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0
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