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公开(公告)号：CN1808706A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510111118.2
申请日：2005-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在SiO2衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的CVD技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行化学机械抛光，抛去孔洞上端的介质材料和加热电极材料，从而形成环状纳米加热电极。本发明避免了纳米小孔中填充电极材料、相变材料的困难，利用较大的环状纳米加热电极实现具有同样面积的小孔洞柱状加热电极的效果。不仅仅适用于解决相变存储器纳米加热电极问题，同样适用于其它电子器件特别是纳电子器件所需的纳米加热电极的制备，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105322090A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410265001.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN102800808B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210335321.8
申请日：2012-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/352 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/1616 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：Ax(Sb2Te)1-x，x为原子百分比，其中A选自W、Ti、Ta或Mn，0＜x＜0.5。本发明所提供的相变材料与通常的GeSbTe材料类似，有利于实现高密度存储。其在外部电驱动纳秒级脉冲作用下具有可逆相变的材料。所述的W-Sb-Te相变材料的相变速度是GeSbTe材料的3倍，有利于实现高速相变存储器。
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公开(公告)号：CN102544362B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201010619500.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。
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公开(公告)号：CN102453823B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010515116.0
申请日：2010-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳化物复合相变存储材料。该碳化物复合相变存储材料由碳化物和相变材料复合而成。碳化物的作用是将相变材料分隔成纳米级岛状区域，从而使得相变材料的生长受到碳化物的抑制，大大增加了晶界数，增大了复合材料的电阻率，使得复合材料拥有良好的相变特性和热稳定性。此外，可通过增加碳化物比例的方法来调节相变材料的晶态电阻值，避免由于晶态电阻过小而引起的阈值电流或功耗过大问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102255044B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110112153.1
申请日：2011-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，使材料在宏观上呈现为在晶态与非晶态两个相之间发生的相转变过程，且该相转变过程所耗费的时间在0.1~1000纳秒范围内；其中，该材料的晶态具有立方晶系的晶格结构；且该材料具有稳定的高温固相，其化学计量比为电中性，p轨道电离度为0.02
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公开(公告)号：CN102539467B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010583561.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N25/12
Abstract: 本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导数求导，通过一阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶温度；步骤三、对各个相变材料的拟合函数进行二阶导数求导，通过二阶导数曲线分析比较各相变材料的结晶速率。利用该分析方法可以对多种相变材料进行比较，从而得到准确的比较结果，选取出最为合适的相变材料，有利于相变材料在器件操作应用中的保持力和操作速率的提高。
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公开(公告)号：CN101984512B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010275460.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法，所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，使材料内存在两个以上的相。本发明提出的氮化物复合相变存储材料是由氮化物与相变材料复合而成，通过互不相溶的分散作用，氮化物的引入能够限制相变材料晶粒的生长，提高了材料的结晶温度，提升了数据保持能力。由于氮化物较高的电阻率和较好的绝热性，材料的加热效率显著提升，而热扩散比例显著减少，提高了器件工作的效率，从而降低了功耗。
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公开(公告)号：CN102810636A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210300873.5
申请日：2012-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有类超晶格结构的相变存储单元，其包括相变材料层，所述相变材料层是由单层GaSb层与单层相变材料Sb2Te3层在纳米级厚度单层周期交替生长而形成的类超晶格结构。所述单层GaSb和单层相变材料Sb2Te3的厚度范围分别为2～8nm和3～12nm。本发明的类超晶格材料具有结晶温度可调，热导率低，热稳定性好及相变速度快的特点。将本发明的类超晶格材料应用于相变存储器中，具有数据保持力强，擦写操作速度快及功耗低的特点。特别优选类超晶格GaSb(4nm)/Sb2Te3(6nm)薄膜，它在材料及器件性能较其他组分表现出优势。
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