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公开(公告)号：CN114113960B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284370.9
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。该方法包括：确定传输线的横截面尺寸；根据横截面尺寸和GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、衬底以及衬底背面的接地金属上，且在上地板或下地板、衬底以及接地金属的位置对应，形成通孔；对横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；根据最优横截面尺寸和过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。本发明能够减少多模传输线影响，减小系统校准系统误差。
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公开(公告)号：CN114137379B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111284371.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种LRRM校准件的制备方法及LRRM校准件。该方法包括：LRRM校准件包括一个传输线、两个开路、两个短路以及两个负载，方法包括：获取衬底参数和衬底上设置的金属的参数，根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定开路、短路以及负载的横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸、开路的横截面尺寸、短路的横截面尺寸以及负载的横截面尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载的电阻进行激光修阻；对修阻后的校准件中的传输线、反射和负载进行参数标定，得到LRRM校准件。本发明能够解决目前没有LRRM校准件的制备方法的问题。
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公开(公告)号：CN112098791B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010819042.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。
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公开(公告)号：CN111983538B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202010682832.1
申请日：2020-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法及装置，该方法包括：在扩频模块的波导/同轴端未连接微波探针时，对在片S参数测量系统进行初次校准，得到第一误差模型；在扩频模块的波导/同轴端连接微波探针后，扩频模块的波导/同轴端面与微波探针端面形成互易的四端口网络，基于所述互易的四端口网络构建16‑term误差模型，并对16‑term误差模型中的串扰误差项进行简化，基于串扰误差项简化后的16‑term误差模型对在片S参数测量系统的测量精度进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法及装置能够有效表征串扰误差量，从而对在片S参数测量系统进行有效校准，进而提高在片S参数测量系统在高频段的测试精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113821763B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110938375.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、直通S参数、负载S参数和反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将直通S参数、负载S参数和反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，进而确定八项误差。本发明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。
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公开(公告)号：CN115219867A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210673374.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶原级半导体器件调制参数测量技术领域，尤其涉及一种矢量误差幅度测量装置和测量方法、终端及存储介质，所述装置其设有上下变频单元和信号分析仪，基于信号分析仪分析上下变频后用于加载到被测目标的信号恶化程度即频响数据，以频响数据修正矢量信号上变频以及下变频中信号恶化程度，大大减小了矢量源带来的EVM恶化的影响，提高了EVM的测量精度。在一些应用场景中，微波源包括有微波信号源和功分器，实现将信号按需要分配功率后，分别送入到上变频单元和下变频单元中，减少了系统复杂程度，采用的微波信号源数量更少，可实现太赫兹频段功放测试需求，解决现有测量设备和仪器无法测试高频待测件的难题，信号分析仪获得的分析结果更精准。
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公开(公告)号：CN114114119A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111284366.2
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。
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公开(公告)号：CN114113960A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111284370.9
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。该方法包括：确定传输线的横截面尺寸；根据横截面尺寸和GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、衬底以及衬底背面的接地金属上，且在上地板或下地板、衬底以及接地金属的位置对应，形成通孔；对横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；根据最优横截面尺寸和过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。本发明能够减少多模传输线影响，减小系统校准系统误差。
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公开(公告)号：CN114113716A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291928.6
申请日：2021-11-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种空气共面射频微波探针及其制备方法，属于微波/毫米波在片测试技术领域，制备方法包括以下步骤：将微同轴电缆一端的外导体和介质层按预设长度剥离，得到预设长度的内导体插入端；将内导体插入端插入射频同轴连接器的中心空腔内；将射频同轴连接器安装至第一探针主体；将第二探针主体安装至第一探针主体，使得微同轴电缆按预设路径从第二探针主体伸出；将微同轴电缆的伸出端斜切至漏出内导体，得到电缆对接端；将带有辅助片的微波探针尖连接至电缆对接端；将辅助片去除，得到空气共面射频微波探针。如此可以提高工作频率，不再局限于理论研究和部分结构计算，能够将空气共面射频微波探针整个地制备出来，缩短了国内外研究差距。
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