-
公开(公告)号：CN112444373A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910829526.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。
-
公开(公告)号：CN112414673A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910780844.5
申请日：2019-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。
-
公开(公告)号：CN112366235A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910677507.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本发明通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
-
公开(公告)号：CN112259618A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910600099.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器及制备方法，制备方法包括：在硅波导层中制备下接触层；2)形成介质层，并于介质层中形成锗光电探测器集成窗口；3)于集成窗口内及介质层上形成非晶材料层，并形成非晶材料层的平坦表面，非晶材料层为非晶硅层或者非晶锗材料层；4)键合锗材料衬底及所述非晶材料层，并减薄锗材料衬底；5)固相外延形成单晶硅层或单晶锗材料层；6)形成锗吸收区及上接触层；7)制备下电极及上电极。本发明通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。
-
公开(公告)号：CN111785616A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910273253.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110955066A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811134136.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应。本发明的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，当相移器用于硅基电光调制器时，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。
-
公开(公告)号：CN110943095A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811110509.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
-
公开(公告)号：CN110749955A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810810996.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光波模式转换装置及其制造方法。所述光波模式转换装置，包括同层设置的第一波导和第二波导，且所述第一波导的折射率大于所述第二波导；所述第二波导朝向所述第一波导的端部具有开口，所述开口的直径沿所述第二波导指向所述第一波导的方向逐渐增大，且所述第一波导的光耦合端面与所述开口对齐设置。本发明不仅降低了光学器件的工艺复杂度，而且提高了两种波导之间的耦合效率，实现了两种波导之间的低损耗互连。
-
公开(公告)号：CN110727046A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
-
公开(公告)号：CN210837756U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201921122297.3
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中；以及单晶硅层，覆盖于所述硅衬底及所述介质层表面。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.053 seconds)
