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公开(公告)号：CN101442005A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710094259.7
申请日：2007-11-22
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种金属硅化物的制备方法，其在源漏注入完成后即淀积介质层，后刻蚀接触孔，之后将接触金属离子注入到接触孔底部并进行一次高温快速热退火的方式来形成金属硅化物。这种方法不仅与现有工艺流程完全兼容，而且无需增加任何光刻工艺，有效的降低了生产成本，可广泛应用于半导体器件制造中。
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公开(公告)号：CN103579078A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210270363.8
申请日：2012-07-31
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/266
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/66553
Abstract: 本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法,包括步骤：依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅；定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除；进行浅沟槽刻蚀；在浅沟槽的表面形成第三氧化层；采用湿法腐蚀工艺对第二层氮化硅进行刻蚀，将有源区的边缘区域露出；进行带倾角的离子注入，将离子注入到有源区的边缘区域中；填充浅沟槽氧化层；对浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。本发明方法通过使有源区边缘暴露后在进行带倾角的离子注入，能提高有源区边缘的掺杂浓度、提高有源区边缘处的金属氧化物半导体器件的阈值电压，降低有源区边缘处器件漏电，能提高器件的性能一致性，能有效抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应。
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公开(公告)号：CN103578998A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210269123.6
申请日：2012-07-30
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L29/66568
Abstract: 本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
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公开(公告)号：CN103578949A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210268972.X
申请日：2012-07-30
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
CPC classification number: H01L21/28035 , H01L21/02697
Abstract: 本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化硅；进行离子注入形成栅极多晶硅的掺杂；在第一层多晶硅上形成钨硅层；依次对钨硅层和第一层多晶硅进行刻蚀。本发明中的栅极多晶硅和多晶硅电阻都是采用同一次生长的多晶硅形成，且是一次刻蚀工艺对同一多晶硅进行刻蚀形成栅极多晶硅和多晶硅电阻，所以本发明能减少工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103151294A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110402802.1
申请日：2011-12-07
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种器件隔离结构及其制造方法，该结构，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；第二隔离层则在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成；该制造方法，包括：1)在硅衬底上完成第一隔离层的淀积；2)在第一隔离层上进行刻蚀，形成有源区窗口；3)在有源区窗口注入与MOS Well区反型的离子，退火修复，形成第二隔离层；4)利用选择性外延，在有源区窗口内生成单晶硅。本发明能以更低成本，实现与SOI类似的全隔离结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035548A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110303093.1
申请日：2011-10-10
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。
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公开(公告)号：CN102446850A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010503966.9
申请日：2010-10-12
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其为将高压器件区的栅氧化层的生长放在所有低压器件及SONOS非挥发性存储器制造工艺之前；在ONO介质层形成之后的刻蚀步骤中，同时去除高压器件区栅氧化层上的ONO介质层。采用本发明的方法，实现了将高压器件在SONOS非挥发性存储器工艺中的嵌入。
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公开(公告)号：CN102446734A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010507407.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种栅极结构及方法；包括：衬底，在衬底上有氧化层，在氧化层上有多晶硅，在多晶硅的栅极上有金属硅化物；在金属硅化物上有氮化物。本发明和一般的上层有阻挡层的栅极相比，这种栅极结构也可以一样使用在这些特殊制程中；而且因为栅极上有金属硅化物，因此栅极电阻和栅极接触电阻都能被有效减小，这样可以降低栅极延时，优化器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN101901786B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910057314.4
申请日：2009-05-26
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法，在多晶硅栅极形成之后，包括如下步骤：1)淀积用作侧墙的薄膜；2)利用光刻工艺使光刻胶覆盖住位于所述DMOS晶体管中的高压漂移注入区上方预定形成硬质掩膜的用作侧墙的薄膜；3)刻蚀用作侧墙的薄膜，在多晶硅栅极的一侧形成侧墙，而在所述多晶硅栅极另一侧形成硬质掩膜；4)形成体引出注入区；5)形成源漏区；6)自对准金属硅化物的制备。本发明的制备方法可以减少器件的尺寸，从而保证器件的效率。
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公开(公告)号：CN101866841B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910057078.6
申请日：2009-04-16
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法，利用制作器件源漏区域的光刻层次，制作和器件源漏区域自对准的金属硅化物，在完成源漏区域注入后，刻蚀掉源漏区域上的氧化层，然后去掉光刻胶，再制作金属硅化物，这样就得到了和源漏区域自对准的金属硅化物。本发明实现了在源漏区域制作和源漏区域自对准的金属硅化物，降低了接触电阻，减小了器件的导通电阻。
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