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公开(公告)号：CN111624903B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010124922.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本公开的实施例涉及处理系统、对应装置及对应方法。集成电路包括耦合到参考时钟信号节点的时钟控制电路以及包括电压调节器、数字电路和模拟电路的多个电路。电压调节器在操作中提供经调节的电压。时钟控制电路在操作中生成系统时钟。输入/输出接口电路装置被耦合到多个电路和共用输入/输出节点。输入/输出接口电路装置在操作中将多个电路中的一个电路选择性地耦合到共用输入/输出节点。
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公开(公告)号：CN116417040A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310020395.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·E·C·迪塞格尼 , M·卡里希米 , A·托马索尼 , D·洛·亚科诺
IPC: G11C11/4091 , G11C7/06 , G11C16/04
Abstract: 本公开的实施例涉及用于存储编码信息的非易失性存储器的感测放大器架构。非易失性存储器单元的群组存储由所述群组的存储器单元的所存储逻辑状态(逻辑高或逻辑低)形成的相应码字。所述感测放大器架构具有多个感测放大器读取分支，每一感测放大器读取分支耦合到相应存储器单元且被配置为提供输出信号，所述输出信号指示流过同一存储器单元的单元电流；比较级，用以执行一个存储器单元群组的单元电流之间的比较；以及逻辑级，用以基于所述比较级所提供的比较结果来确定对应于所述存储器单元群组的读取码字。信息可以存储在码字的不同子集中，在这种情况下，感测放大器架构具有子集定义电路，以允许基于参考信号初步确定要读取的码字所属的子集。
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公开(公告)号：CN116416926A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310017837.6
申请日：2023-01-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/34 , G09G3/36
Abstract: 本公开涉及发射型和非发射型显示面板中的高效重影照明消除。本文公开了一种操作具有显示元件的矩阵的显示面板的方法。该方法包括以下有序步骤：(1)使电流从电源流入给定显示元件的阳极，从给定显示元件的阴极流出到地，其中电流流入阳极并从阴极流出到地导致与阳极相关联的寄生电容充电，(2)将电荷从存储电容器转移到与阴极相关联的寄生电容，以及(3)停止电流流动，然后将电荷从与阳极相关联的寄生电容转移到存储电容器。
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公开(公告)号：CN116400129A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310004024.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及监测泄漏电流的系统和方法。一种用于监测MOSFET的系统，系统包括：开关装置，其被配置为能够切换地将MOSFET的栅极端子和MOSFET的源极端子与栅控电压源隔离；以及测试电路，其被配置为在测试周期内检测MOSFET的栅极至源极电压的变化，在栅极端子和源极端子被隔离时测试周期发生。
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公开(公告)号：CN116388572A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211719116.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及隔离驱动器设备和在隔离驱动器设备中传输信息的方法。一种隔离驱动器器件包括彼此电隔离的第一半导体管芯和第二半导体管芯。第二半导体管芯包括被配置为调制载波信号以产生调制信号编码信息的信号调制器电路。在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯中实现的电隔离通信信道被配置为将所述调制信号从所述第二半导体管芯传输到所述第一芯片。所述第二半导体管芯包括：故障检测电路，所述故障检测电路被配置为检测所述第二半导体管芯中的电故障；逻辑电路，其耦合到所述故障检测电路，并且被配置为响应于由所述故障探测电路探测到的故障而断言调制旁路信号；以及调制掩蔽电路，其被配置为响应于所述调制旁路信号被断言。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113375635B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110208300.9
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有减小的振动校正误差的MEMS测斜仪。该MEMS测斜仪包括基底、第一移动质量块和传感单元。传感单元包括第二移动质量块、多个弹性元件，弹性元件被插入在第二移动质量块与基底之间并且在与第一轴线平行的方向是柔顺的，以及多个弹性结构，多个弹性结构中的每个弹性结构被插入在第一移动质量块与第二移动质量块之间并且在与第一轴线和第二轴线平行的方向是柔顺的。传感单元进一步包括相对于基底固定的固定电极以及相对于第二移动质量块固定的移动电极，这形成了可变电容器。
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公开(公告)号：CN116345894A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211657556.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有减少的输出泄漏的双输出DC－DC升压转换器。DC－DC升压转换器包括耦合在输入电压和输入节点之间的电感器，耦合在输入节点和生成第一输出电压的第一输出节点之间的第一路径，以及耦合在输入节点和生成第二输出电压的第二输出节点之间的第二路径。DC－DC升压转换器在第一操作阶段中操作，其中第一路径使第一输出电压升压，并且其中通过耦合到第一路径的第二路径来防止第二路径使第二输出电压升压，并且DC－DC升压转换器在第二操作阶段中操作，其中第二路径使第二输出电压升压，并且其中通过未耦合到第一路径的第二路径来防止第一路径使第一输出电压升压。
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公开(公告)号：CN116345103A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211651592.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及基于缺陷的MEMS声子晶体平板波导。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。
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公开(公告)号：CN111983801B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010444104.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于补偿不期望的运动的微机电系统(MEMS)压电致动器及其制造工艺。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体，其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部，第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架，第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。
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公开(公告)号：CN111751980B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010231155.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 本公开的实施例涉及具有可倾斜的受压电控制的结构的谐振MEMS设备。MEMS设备形成在半导体材料的裸片中，该裸片具有在其中限定的腔并且具有锚固部分。可倾斜结构弹性地悬挂在腔之上，并且具有在水平平面中的主延伸部。第一和第二支撑臂在锚固部分与可倾斜结构的相对侧之间延伸。第一和第二谐振压电致动结构旨在被偏置，从而引起可倾斜结构绕旋转轴线的旋转。第一支撑臂由第一和第二扭转弹簧形成，第一和第二扭转弹簧对于从水平平面离开的运动是刚性的、并且顺从于绕旋转轴线的扭转，并且第一和第二扭转弹簧在约束区域处耦合在一起。第一和第二谐振压电致动结构在第一支撑臂的第一侧和第二侧上，在锚固部分与约束结构之间延伸。
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