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公开(公告)号：CN106257699B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510860679.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及悬臂压电换能器。压电换能器包括：锚定件；半导体材料的梁(25)，从锚定件开始在平行于第一轴(Y)的主方向上以悬臂方式延伸，并且具有平行于第一平面(XY)的面(25c)，第一平面由第一轴(Y)和垂直于第一轴(Y)的第二轴(X)限定；以及压电层(26)，在梁(25)的面(25c)上。梁(25、125、225、325)的垂直于第一轴(Y)的截面是非对称的，并且被成形为使得梁(25)响应于施加到锚定件并且根据第一轴(X)定向的力，而呈现离开第一平面(XY)的变形。
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公开(公告)号：CN116345103A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211651592.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及基于缺陷的MEMS声子晶体平板波导。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。
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公开(公告)号：CN106257699A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201510860679.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H02N2/186 , H01L41/1136 , H02N2/181 , H01L41/08 , H01L41/25
Abstract: 本公开涉及悬臂压电换能器。压电换能器包括：锚定件(16a)；半导体材料的梁(25)，从锚定件(16a)开始在平行于第一轴(Y)的主方向上以悬臂方式延伸，并且具有平行于第一平面(XY)的面(25c)，第一平面由第一轴(Y)和垂直于第一轴(Y)的第二轴(X)限定；以及压电层(26)，在梁于第一轴(Y)的截面是非对称的，并且被成形为使得梁(25)响应于施加到锚定件(16)并且根据第一轴(X)定向的力，而呈现离开第一平面(XY)的变形。(25)的面(25c)上。梁(25、125、225、325)的垂直
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公开(公告)号：CN116553470A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310074280.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及对拉入有弹性的长冲程MEMS致动器和包括致动器的电子系统。MEMS致动器，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层；框架，其包括由第二半导体层形成的横向区域，平行于第一方向伸长并且沿第二方向偏移，框架可平行于第二方向移动。MEMS致动器包括，针对每个横向区域：对应的前转子区域，其被固定到横向区域并且被悬置在衬底上方；第一定子区域和第二定子区域，其由第一半导体层形成，使得当框架处于静止位置时，横向区域相对于第一定子区域和第二定子区域侧向偏移，并且第一前转子区域部分地面对第一定子区域，并且使得在框架沿第二方向平移期间，当横向区域开始叠加在第一定子区域上时，第一前转子区域和/或第二前转子区域至少部分地面对第二定子区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115808542A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211115999.5
申请日：2022-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/097
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改进的性能的检测结构的Z轴线谐振加速度计。检测结构包括惯性质量块，惯性质量块悬置在衬底上方，并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件，主锚定件布置在窗口中，并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件，第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方，通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底，第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸，并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
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公开(公告)号：CN205595377U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201520977697.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H02N2/186 , H01L41/1136 , H02N2/181
Abstract: 本公开涉及压电换能器、压电转换器和能量收集系统，以增加对“平面内”方向上的机械作用的响应。压电换能器包括：锚定件；半导体材料的梁，从锚定件开始在平行于第一轴(Y)的主方向上以悬臂方式延伸，并且具有平行于第一平面(XY)的面，第一平面由第一轴(Y)和垂直于第一轴(Y)的第二轴(X)限定；以及压电层，在梁的面上。梁的垂直于第一轴(Y)的截面是非对称的，并且被成形为使得梁响应于施加到锚定件并且根据第一轴(X)定向的力，而呈现离开第一平面(XY)的变形。本公开还涉及压电转换器和能量收集系统。由于非对称几何结构，梁还用离开平面XY的变形响应在平行于轴X的方向上定向的力，从而显著提高压电转换器的整体效率。
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公开(公告)号：CN219843590U
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202223436036.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03H9/02
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS装置。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。根据本公开的MEMS装置有助于减轻能量损耗。
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公开(公告)号：CN220520143U
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202320142087.0
申请日：2023-02-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统致动器和电子系统。MEMS致动器，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层；框架，其包括由第二半导体层形成的横向区域，平行于第一方向伸长并且沿第二方向偏移，框架可平行于第二方向移动。MEMS致动器包括，针对每个横向区域：对应的前转子区域，其被固定到横向区域并且被悬置在衬底上方；第一定子区域和第二定子区域，其由第一半导体层形成，使得当框架处于静止位置时，横向区域相对于第一定子区域和第二定子区域侧向偏移，并且第一前转子区域部分地面对第一定子区域，并且使得在框架沿第二方向平移期间，当横向区域开始叠加在第一定子区域上时，第一前转子区域和/或第二前转子区域至少部分地面对第二定子区域。由此，提供了改进的MEMS致动器。
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公开(公告)号：CN219065508U
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202222429774.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/097
Abstract: 本公开的实施例涉及谐振加速度计、用于其的检测结构以及电子装置。检测结构包括惯性质量块，惯性质量块悬置在衬底上方，并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件，主锚定件布置在窗口中，并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件，第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方，通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底，第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸，并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
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