公开(公告)号：CN116345103A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211651592.4

申请日：2022-12-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·G·法罗尼 ,  A·弗兰吉 ,  V·泽加 ,  C·加佐拉

IPC: H01P5/18 ,  H01P3/08

Abstract: 本公开的实施例涉及基于缺陷的MEMS声子晶体平板波导。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。

公开(公告)号：CN219843590U

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202223436036.3

申请日：2022-12-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·G·法罗尼 ,  A·弗兰吉 ,  V·泽加 ,  C·加佐拉

IPC: H03H9/02

Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS装置。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。根据本公开的MEMS装置有助于减轻能量损耗。