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公开(公告)号：CN118702092A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410678600.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01G51/04 , C01G39/02 , C01G49/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种前驱体晶格嵌入式掺杂金属‑碳复合材料制造方法，属于复合材料领域。该方法将金属盐与芳香族溶剂中的聚酰胺酸PAA溶液混合；然后在真空条件下去除溶剂，并进一步加热和加压，使聚酰胺酸缩合形一层褐色的金属络合物前驱体—聚酰亚胺MC‑PI薄膜；再在环境条件下用CO2红外激光照射MC‑PI薄膜后，紧凑的MC‑PI薄膜转变为嵌入金属氧化物纳米晶体的三维多孔激光诱导石墨MO‑LIG；最后将步骤三得到的MO‑LIG在氩气环境下于750℃退火30分钟得到产物MO‑LIG‑A；本发明通过调控激光加工参数，调控前驱体薄膜中元素的价态、化学键的组成、晶格缺陷态，实现先进碳材料与金属纳米材料在原子层面进行一步化学掺杂和制备，调控复合材料物理、化学特性。
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公开(公告)号：CN118687593A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410771460.8
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01C25/00 , G01C19/56 , G01C19/5691 , G06F30/23
Abstract: 本申请提供了一种金属微半球谐振子的静电激励模拟回路扫频方法及系统，其中，该系统包括：频率响应分析仪，用于输出模拟激励信号，其中，所述模拟激励信号是频率按照线性规律变化的电压信号；扫频测试电路，用于将所述模拟激励信号施加到所述金属微半球谐振子的驱动电极上，通过对比和监测所述金属微半球谐振子的响应，得到所述金属微半球谐振子的频率特性。本申请解决了现有技术存在电气方面的信号串扰从而影响最终测量结果的准确性的技术问题。
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公开(公告)号：CN118687495A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310287127.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种板壳结构动态大变形场重构方法，属于结构变形监测领域。该方法包括：第一步：将板壳结构划分为多个单元，并在每个单元的应变测量点粘贴光纤光栅传感器；设载荷步s＝0；第二步：对板壳结构进行测试，获得初始中心波长；第三步：对板壳结构加载位移载荷，获得当前载荷步的实测应变，并利用当前载荷步的实测应变获得当前载荷步相对于上一个载荷步的应变；第四步：利用当前载荷步相对于上一个载荷步的应变获得当前载荷步的所有单元节点的坐标；第五步：s＝s+1，判断s是否等于设定的阈值，如果是，则进入第六步，如果否，则增大位移载荷，然后返回第三步；第六步：输出每个载荷步的所有单元节点的坐标。该方法的重构精度高。
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公开(公告)号：CN117784291B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118673792A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410678937.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G01V3/00 , G01V3/02 , G01R33/032 , G01R31/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请提供了一种基于改进径向基神经网络的场强预测方法及装置，其中，该方法包括：采集场强数据；基于所采集的场强数据，采用预先训练的场强预测模型，来预测与所采集的场强数据对应的场强值，其中，所述场强预测模型是基于改进径向基神经网络IRBFNN，通过直接计算法选取隐含层中心并结合梯度下降法更新权重而得到的。本申请解决了现有技术中场强预测不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN118645365A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410646250.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导石墨烯的柔性薄膜型电容器一体化制造方法，属于微纳加工领域。本发明首先，选择柔性的基底材料，如聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜。其次，利用激光诱导技术，在所述有机材料上通过改变激光焦距，分别在上下表面形成石墨烯结构，形成电容器的“三明治”结构。最后，集成电路并进行封装，完成电容器的一体化制造。通过这些步骤，实现了对柔性薄膜型电容器的一体化制造，提高了电容器的性能和可靠性。避免了传统电容器制造中的多道工艺和对齐困难。该技术制备的电容器具有高灵敏度、稳定性和柔性，可广泛应用于柔性电子产品领域，例如可穿戴设备、柔性显示器等，具有重要的应用前景和市场价值。
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公开(公告)号：CN118624728A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410671944.5
申请日：2024-05-28
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01N29/14
Abstract: 本发明涉及断股损伤定位技术领域，特别是涉及一种导线损伤定位装置及方法，首先根据布设要求计算激励声发射传感器与接收声发射传感器之间布置的间距范围；其次根据间距范围设置激励声发射传感器与接收声发射传感器的位置；然后利用接收声发射传感器接收待处理信号并对接收的待处理信号进行处理；最后采用小波时频分析方法，根据所述已处理信号计算得到导线断股损伤位置。本发明公开的方案将声学检测与小波时频分析方法相互结合，能够在最短时间内实现准确定位导线断股损伤位置。
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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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