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公开(公告)号:CN118702092A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410678600.7
申请日:2024-05-29
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01G51/04 , C01G39/02 , C01G49/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种前驱体晶格嵌入式掺杂金属‑碳复合材料制造方法,属于复合材料领域。该方法将金属盐与芳香族溶剂中的聚酰胺酸PAA溶液混合;然后在真空条件下去除溶剂,并进一步加热和加压,使聚酰胺酸缩合形一层褐色的金属络合物前驱体—聚酰亚胺MC‑PI薄膜;再在环境条件下用CO2红外激光照射MC‑PI薄膜后,紧凑的MC‑PI薄膜转变为嵌入金属氧化物纳米晶体的三维多孔激光诱导石墨MO‑LIG;最后将步骤三得到的MO‑LIG在氩气环境下于750℃退火30分钟得到产物MO‑LIG‑A;本发明通过调控激光加工参数,调控前驱体薄膜中元素的价态、化学键的组成、晶格缺陷态,实现先进碳材料与金属纳米材料在原子层面进行一步化学掺杂和制备,调控复合材料物理、化学特性。
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公开(公告)号:CN118801121A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410678974.9
申请日:2024-05-29
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯‑铜纳米复合材料的制备‑封装一体化方法,属于太赫兹和柔性电子的交叉领域。本发明利用飞秒激光直写加工技术实现基于PDMS内部的多孔石墨烯‑铜纳米颗粒复合材料制造工艺,PDMS薄膜作为天然封装层实现自封装工艺,制造的柔性太赫兹完美吸收器,具有超宽吸收带宽以及完美吸收特性。本发明制造的柔性太赫兹完美吸收器,具有超宽吸收带宽以及完美吸收特性,相较于基于其他材料和工艺制造的太赫兹吸收器,具有更为优异的综合性能。
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公开(公告)号:CN118737722A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410678842.6
申请日:2024-05-29
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01G11/86 , C01B32/921 , H01G11/56
Abstract: 本发明涉及一种前驱体晶格嵌入式掺杂二维材料的化合物薄膜制备方法,属于柔性电子领域。本发明公开的一种晶格嵌入式掺杂二维材料的单步卷对卷的制造技术,以制备具有较大的比面积容量和超高的能量密度微型超级电容器。通激光直写技术,诱导碳前驱体改性成石墨烯材料的同时实现分层二维MXene在亚晶格尺度上掺杂进石墨烯晶格中,实现化学和物理性质的混合掺杂,使得材料电学性能的显著提高,并成功制造具有超高能量密度的微型超级电容器。
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公开(公告)号:CN120035105A
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202311554370.5
申请日:2023-11-21
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请公开一种内部含石墨烯的柔性材料及在柔性材料内部诱导石墨烯的方法,包括:对柔性材料进行表面预处理;以及将激光器激光聚焦到柔性材料内部进行扫描诱导石墨烯;其中,所述激光器使用高倍物镜;所述激光功率为:100‑200mW;所述扫描速度为:1‑5mm/s;所述激光的重复频率为:600kHz‑1MHz。解决了现有工艺存在的结构不稳定及封装等固有问题,其优异的柔性和抗弯折特性在太赫兹吸收器的研究中具有一定先进性。
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