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公开(公告)号：CN113433792A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110719071.7
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金良男
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层，半导体衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第二区域在第一区域和第三区域之间；使用曝光装置曝光光致抗蚀剂层；以及显影曝光的光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，其中曝光装置包括光源、投影透镜以及设置在光源和投影透镜之间的光掩模，光掩模包括限定光致抗蚀剂图案的主图案以及限定第二区域的抗反射图案，以及曝光光致抗蚀剂层包括向第一和第三区域中的一个区域以及向第二区域提供光，其中提供给所述一个区域的光具有比提供给第二区域的光高的强度。
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公开(公告)号：CN112666789A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011400325.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 湖南普照信息材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，包括：玻璃基片；复合在所述玻璃基片上的相移层；复合在所述相移层上的铬氮化物遮光膜层；复合在所述铬氮化物遮光膜层上的铬氮氧化物减反射膜层；所述相移层为硅氧化物薄膜。与现有技术相比，本发明提供的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料采用特定膜结构，实现较好的整体相互作用，从而使该相移光掩膜坯料兼具高均匀性和良好的显示效果，并且具有强的耐氢氟酸性，应用范围广。
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公开(公告)号：CN106336372B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610457786.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/86 , C07D311/82 , C07D333/56 , G03F1/46 , G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种单体、包含所述单体的有机层组合物、使用所述有机层组合物制造的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。本发明的单体由化学式1表示，化学式1与具体实施方式中所定义的相同。本发明的单体具有良好的溶解度特征以及优良的耐蚀刻性和耐热性，使用所述单体制造的有机层具有优良的机械特征和膜表面平整度。[化学式1]
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公开(公告)号：CN105575775B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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公开(公告)号：CN110083008A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910135819.1
申请日：2012-10-19
Applicant: 大日本印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107513697A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710775170.0
申请日：2017-08-31
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: C23C16/30 , G03F1/46 , H01L21/033
CPC classification number: C23C16/308 , G03F1/46 , H01L21/0332
Abstract: 本申请实施例提供了一种光刻掩模板，该光刻掩模板包括基底；位于基底上方的掩膜层；位于掩膜层上方的低消光系数SiON减反射膜；位于SiON减反射膜上方的光刻胶；该SiON减反射膜的厚度能够使得所述SiON减反射膜上表面的反射光与下表面的反射光的光程差等于奇数个1/2发射光波长。如此，SiON减反射膜反射的反射光不会入射到其上方的光刻胶中，从而使得光刻胶形成精确的曝光图形。另外，本申请实施例还提供了一种SiON减反射膜及其制备方法。
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公开(公告)号：CN103235480B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210379702.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 湖南普照信息材料有限公司 , 湖南电子信息产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新三层膜结构的光掩膜及其制备方法，新三层膜结构的光掩膜包括玻璃基片、阻挡层、遮光膜层及减反射膜层，所述阻挡层、遮光膜层及减反射膜层三层膜中至少有一层含有碳成分；在制备方法上，提供一个或多个Cr靶材，通过真空磁控溅射方法将阻挡层、遮光膜层及减反射膜层依次镀在玻璃基片上。本发明不仅解决因钠离子扩散造成的“凹陷”问题，而且相对现有技术的三层膜结构，本新三层膜结构的光掩膜能够确保蚀刻时间及良好的刻蚀速率；在制备过程中只需提供一种Cr靶材。
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公开(公告)号：CN102385241B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102929096B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210412083.6
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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公开(公告)号：CN101082768B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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